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ES1G-M3/61T

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  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人:唐先生

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  • 深圳市英科美電子有限公司
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  • 深圳市軒盛達電子有限公司
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ES1G-M3/61T 技術參數
  • ES1DVRX 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 1A SOD123W 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):200V 電流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:875mV @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):25ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:200nA @ 200V 不同?Vr,F 時的電容:20pF @ 4V,1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOD-123W 供應商器件封裝:SOD-123W 工作溫度 - 結:150°C(最大) 標準包裝:1 ES1DTR 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 1A SMA 制造商:smc diode solutions 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):200V 電流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):950mV @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):35ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 200V 不同?Vr,F 時的電容:45pF @ 4V,1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-214AC,SMA 供應商器件封裝:SMA(DO-214AC) 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:1 ES1DRX 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 1A SOD123W 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):200V 電流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:930mV @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):25ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:200nA @ 200V 不同?Vr,F 時的電容:17pF @ 4V,1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOD-123W 供應商器件封裝:SOD123W 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:1 ES1629AS/600 功能描述:ALUMINUM EXTRUSION FOR ASYMMETRI 制造商:khatod north america llc 系列:- 零件狀態:有效 配件類型:基座 配套使用產品/相關產品:- 標準包裝:10 ES1629/600 功能描述:ALUMINUM EXTRUSION FOR NARROW ST 制造商:khatod north america llc 系列:- 零件狀態:有效 配件類型:基座 配套使用產品/相關產品:- 標準包裝:10 ES1HL RFG ES1HL RHG ES1HL RQG ES1HL RTG ES1HL RUG ES1HL RVG ES1HM2G ES1HR3G ES1J ES1J M2G ES1J R3G ES1JAF ES1JE-TP ES1JF R2G ES1JF R3G ES1JFL ES1JFL RVG ES1JHM2G
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