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FDN638P

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操作

FDN638P
深圳市一線半導體有限公司
深圳市一線半導體有限公司
聯系人：謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐
電話：0755-88608801多線17727932378
地址：深圳市福田區華強北華強花園B9F
11630
Fairchild
2013
18+
-
原裝正品，優勢供應

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您是不是要找： FDN8601 FDN86246 FDN86265P FDN86501LZ FDP020N06B_F102 FDP020N06B-F102 FDP023N08B_F102 FDP023N08B-F102 FDP025N06

FDN638P PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

FDN638P 技術參數

FDN340P 功能描述:MOSFET SSOT-3 P-CH -20V RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube FDMS2380 功能描述:MOSFET Dual Integ Solenoid RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube FDMF8705 功能描述:功率驅動器IC MLP 8X8 DRIVER PLUS FET MULTI-CHIP MODU RoHS:否制造商:Micrel 產品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube FDMF8704V 功能描述:功率驅動器IC Driver plus FET w/5v reg RoHS:否制造商:Micrel 產品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube FDMF8704 功能描述:功率驅動器IC Driver plus FET Multi-chip Module RoHS:否制造商:Micrel 產品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube FDP027N08B FDP027N08B_F102 FDP027N08B-F102 FDP030N06 FDP030N06B_F102 FDP030N06B-F102 FDP032N08 FDP032N08_F102 FDP032N08B_F102 FDP032N08B-F102 FDP032N08-F102 FDP036N10A FDP038AN06A0 FDP038AN06A0_F102 FDP038AN06A0-F102 FDP039N08B_F102 FDP039N08B-F102 FDP040N06