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FF150R12KE3G_B2

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  • FF150R12KE3G_B2
    FF150R12KE3G_B2

    FF150R12KE3G_B2

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • Infineon

  • MODULE

  • 最新批號

  • -

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  • 1
FF150R12KE3G_B2 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準
  • 功能描述
  • IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 225A
  • RoHS
  • 否
  • 制造商
  • Infineon Technologies
  • 產(chǎn)品
  • IGBT Silicon Modules
  • 配置
  • Dual
  • 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO
  • 600 V
  • 集電極—射極飽和電壓
  • 1.95 V
  • 在25 C的連續(xù)集電極電流
  • 230 A
  • 柵極—射極漏泄電流
  • 400 nA
  • 功率耗散
  • 445 W
  • 最大工作溫度
  • + 125 C
  • 封裝 / 箱體
  • 34MM
  • 封裝
FF150R12KE3G_B2 技術(shù)參數(shù)
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