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FW-40-05-F-D-463-065

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  • 深圳市芯脈實(shí)業(yè)有限公司
    深圳市芯脈實(shí)業(yè)有限公司

    聯(lián)系人:駱小姐

    電話(huà):18124020586

    地址:深圳市龍崗區(qū)雅寶路1號(hào)星河world, A棟2203A

  • 81467

  • Samtec Inc.

  • 25+

  • -
  • 全球渠道、原廠(chǎng)正品、信譽(yù)保障、閃電發(fā)貨

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  • 深圳市芯脈實(shí)業(yè)有限公司
    深圳市芯脈實(shí)業(yè)有限公司

    聯(lián)系人:周小姐/曹先生/高先生

    電話(huà):137602720171348786585218520805148

    地址:深圳市龍崗區(qū)坂田街道南坑社區(qū)雅寶路1號(hào)星河WORLDA2203A室

  • 44731

  • Samtec Inc.

  • 25+

  • -
  • 全球渠道、原廠(chǎng)正品、信譽(yù)保障、閃電發(fā)貨

  • FW-40-05-F-D-463-065-ES-A
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  • 深圳市芯脈實(shí)業(yè)有限公司
    深圳市芯脈實(shí)業(yè)有限公司

    聯(lián)系人:曹先生/周小姐/高先生

    電話(huà):134878658521376027201718520805148

    地址:深圳市龍崗區(qū)坂田街道南坑社區(qū)雅寶路1號(hào)星河WORLDA2203A室

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  • Samtec Inc.

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  • 全球渠道、原廠(chǎng)正品、信譽(yù)保障、閃電發(fā)貨

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FW-40-05-F-D-463-065 技術(shù)參數(shù)
  • FW349-TL-E 功能描述:MOSFET N/P-CH 45V 5A/4.5A 8-SOP 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓(Vdss):45V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):5A,4.5A 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):37 毫歐 @ 5A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):18.1nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):860pF @ 20V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.173",4.40mm 寬) 供應(yīng)商器件封裝:8-SOP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 FW342-TL-E 功能描述:MOSFET N/P-CH 30V 6A/5A 8-SOP 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):6A,5A 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):33 毫歐 @ 6A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):16nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):850pF @ 10V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.173",4.40mm 寬) 供應(yīng)商器件封裝:8-SOP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 FW248-TL-E 功能描述:MOSFET 2N-CH 45V 6A 8-SOP 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:2 個(gè) N 溝道(雙) FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓(Vdss):45V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):6A 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):34 毫歐 @ 6A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):23nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):1040pF @ 20V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.173",4.40mm 寬) 供應(yīng)商器件封裝:8-SOP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 FW231A-TL-E 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 8A 8-SOP 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:2 個(gè) N 溝道(雙) FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):8A 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):23 毫歐 @ 8A,4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):21nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):1530pF @ 10V 功率 - 最大值:2.3W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.173",4.40mm 寬) 供應(yīng)商器件封裝:8-SOP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 FW1120G01 功能描述:General Purpose Relay DPDT (2 Form C) Chassis Mount 制造商:te connectivity aerospace, defense and marine 系列:軍用,MIL-R-5757/10,F(xiàn)W,CII 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 繼電器類(lèi)型:通用 線(xiàn)圈類(lèi)型:無(wú)鎖存 線(xiàn)圈電流:- 線(xiàn)圈電壓:26.5VDC 觸頭外形:DPDT(2 C 型) 額定接觸(電流):2A 開(kāi)關(guān)電壓:28VDC - 標(biāo)稱(chēng) 導(dǎo)通電壓(最大值):13 VDC 關(guān)閉電壓(最小值):2.3 VDC 工作時(shí)間:6ms 釋放時(shí)間:6ms 特性:- 安裝類(lèi)型:底座安裝 端子類(lèi)型:焊接鉤 觸頭材料:- 線(xiàn)圈功率:- 線(xiàn)圈電阻:- 工作溫度:-65°C ~ 125°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 FW-40-05-F-D-480-065-EP-A FW-40-05-F-D-500-065 FW-40-05-F-D-500-070 FW-40-05-F-D-500-075 FW-40-05-F-D-500-090 FW-40-05-F-D-500-100 FW-40-05-F-D-500-120 FW-40-05-F-D-500-130-A FW-40-05-F-D-500-150 FW-40-05-F-D-510-165 FW-40-05-F-D-510-165-A-P-TR FW-40-05-F-D-512-140 FW-40-05-F-D-525-140-A-P FW-40-05-F-D-528-140-A-P FW-40-05-F-D-530-100 FW-40-05-F-D-531-140 FW-40-05-F-D-532-093-A FW-40-05-F-D-534-140
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