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GL12T-GS18

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功能描述
ESD 抑制器 Dual Diode 12Vrwm
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
通道
8 Channels
擊穿電壓
8 V
電容
45 pF
端接類型
SMD/SMT
封裝 / 箱體
uQFN-16
功率耗散 Pd
工作溫度范圍
- 40 C to + 85 C

GL12T-GS18 技術參數

GL110KA7B115 功能描述:11μH Unshielded Wirewound Inductor 115mA 7 Ohm Nonstandard 制造商:avx corporation 系列:GL 包裝:散裝零件狀態:過期類型:繞線材料 - 磁芯:鐵粉電感:11μH 容差:±10% 額定電流:115mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻（DCR）:7 歐姆不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-55°C ~ 125°C 頻率 - 測試:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:非標準大小/尺寸:0.182"?長 x 0.072" 方椎體（4.62mm x 1.83mm）高度 - 安裝（最大值）:- 標準包裝:1 GL100MN1MP1 功能描述:Infrared (IR) Emitter 940nm 1.2V 50mA 20° 2-SMD, No Lead 制造商:sharp microelectronics 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期類型:紅外（IR）電流 - DC 正向（If）:50mA 不同 If 時的輻射強度（Ie）（最小值）:- 波長:940nm 電壓 - 正向（Vf）（典型值）:1.2V 視角:20° 朝向:頂視圖工作溫度:-30°C ~ 85°C（TA）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:2-SMD，無引線標準包裝:1 GL100MN1MP 功能描述:Infrared (IR) Emitter 940nm 1.2V 50mA 20° 2-SMD, No Lead 制造商:sharp microelectronics 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期類型:紅外（IR）電流 - DC 正向（If）:50mA 不同 If 時的輻射強度（Ie）（最小值）:- 波長:940nm 電壓 - 正向（Vf）（典型值）:1.2V 視角:20° 朝向:通用工作溫度:-30°C ~ 85°C（TA）安裝類型:表面貼裝，直角封裝/外殼:2-SMD，無引線標準包裝:1 GL100MN0MP1 功能描述:Infrared (IR) Emitter 940nm 1.2V 50mA 20° 2-SMD, No Lead 制造商:sharp microelectronics 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期類型:紅外（IR）電流 - DC 正向（If）:50mA 不同 If 時的輻射強度（Ie）（最小值）:- 波長:940nm 電壓 - 正向（Vf）（典型值）:1.2V 視角:20° 朝向:頂視圖工作溫度:-30°C ~ 85°C（TA）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:2-SMD，無引線標準包裝:1 GL100MN0MP 功能描述:Infrared (IR) Emitter 940nm 1.2V 50mA 20° 2-SMD, No Lead 制造商:sharp microelectronics 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期類型:紅外（IR）電流 - DC 正向（If）:50mA 不同 If 時的輻射強度（Ie）（最小值）:- 波長:940nm 電壓 - 正向（Vf）（典型值）:1.2V 視角:20° 朝向:通用工作溫度:-30°C ~ 85°C（TA）安裝類型:表面貼裝，直角封裝/外殼:2-SMD，無引線標準包裝:1 GL130F33CET GL130F33IDT GL130F33IET GL130F35CDT GL130F35CET GL130F35IDT GL130F35IET GL135F23CDT GL135F23CET GL135F23IDT GL135F23IET GL135F33CDT GL135F33CET GL135F33IDT GL135F33IET GL135F35CDT GL135F35CET GL135F35IDT