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GP1S092HCPIOF

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GP1S092HCPIOF
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
865000
SHARP
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GP1S092HCPIOF 技術參數

GP1S092HCPIF 功能描述:SENSOR OPTO SLOT 2MM TRANS SMD 制造商:sharp/socle technology 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售感應距離:0.079"（2mm）感應方法:可傳導的輸出配置:光電晶體管電流 - DC 正向（If）:50mA 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:20mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:35V 響應時間:50μs，50μs 工作溫度:-25°C ~ 85°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:4-SMD 類型:無放大標準包裝:1 GP1S092HCPI 功能描述:PHOTOINTERRUPTER SLOT 2.0MM SMD 制造商:sharp microelectronics 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期感應距離:0.079"（2mm）感應方法:可傳導的輸出配置:光電晶體管電流 - DC 正向（If）:50mA 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:20mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:35V 響應時間:50μs，50μs 工作溫度:-25°C ~ 85°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:4-SMD 類型:無放大標準包裝:1 GP1S036HEZ 功能描述:SENSOR TILT 2PHASE 20MA TH 制造商:sharp microelectronics 系列:- 包裝:管件零件狀態:過期工作角度:- 輸出類型:2 相安裝類型:通孔，直形工作溫度:-25°C ~ 85°C 電壓 - 電源:- 電流 - 輸出:20mA 封裝/外殼:PCB 安裝標準包裝:50 GP1M023A050N 功能描述:MOSFET N-CH 500V 23A TO3PN 制造商:global power technologies group 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:23A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:220 毫歐 @ 11.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:66nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3391pF @ 25V 功率 - 最大值:347W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-3P-3，SC-65-3 供應商器件封裝:TO-3PN 標準包裝:1 GP1M020A050N 功能描述:MOSFET N-CH 500V 20A TO3PN 制造商:global power technologies group 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:20A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:300 毫歐 @ 10A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:54nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3094pF @ 25V 功率 - 最大值:312W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-3P-3，SC-65-3 供應商器件封裝:TO-3PN 標準包裝:1 GP1S194HCZ0F GP1S196HCPSF GP1S196HCZ0F GP1S196HCZSF GP1S25 GP1S25J0000F GP1S273LCS1F GP1S296HCPSF GP1S36 GP1S36J0000F GP1S39 GP1S396HCP0F GP1S396HCPSF GP1S39J0000F GP1S44S1 GP1S44S1J00F GP1S51V GP1S51VJ000F