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GP2S24BCJ00F

配單專家企業名單
  • 型號
  • 供應商
  • 數量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • GP2S24BCJ00F
    GP2S24BCJ00F

    GP2S24BCJ00F

  • 深圳市芯脈實業有限公司
    深圳市芯脈實業有限公司

    聯系人:駱小姐

    電話:18124020586

    地址:深圳市龍崗區雅寶路1號星河world, A棟2203A

  • 49396

  • Sharp Microelectronics

  • 4-SMD

  • 25+

  • -
  • 全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

  • GP2S24BCJ00F
    GP2S24BCJ00F

    GP2S24BCJ00F

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室

    資質:營業執照

  • 5000

  • Sharp Microelectronics

  • 標準封裝

  • 16+

  • -
  • 假一罰十 百分百原裝正品

  • GP2S24BCJ00F
    GP2S24BCJ00F

    GP2S24BCJ00F

  • 深圳市毅創輝電子科技有限公司
    深圳市毅創輝電子科技有限公司

    聯系人:何芝

    電話:19129491934(手機優先微信同號)0755-82865099

    地址:深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質:營業執照

  • 3220

  • SHARP

  • 4-SMD

  • 14+

  • -
  • 原裝正品,現貨庫存!

  • 1/1頁 40條/頁 共6條 
  • 1
GP2S24BCJ00F PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • 光學開關(反射型,光電晶體管輸出) Photointerrupter FD 0.6mm
  • RoHS
  • 制造商
  • Fairchild Semiconductor
  • 感應距離
  • 1 mm
  • 輸出設備
  • Phototransistor
  • 集電極—發射極最大電壓 VCEO
  • 30 V
  • 最大集電極電流
  • 20 mA
  • 正向電壓
  • 1.2 V
  • 反向電壓
  • 5 V
  • 最大工作溫度
  • + 85 C
  • 最小工作溫度
  • - 25 C
  • 安裝風格
  • SMD/SMT
  • 封裝
  • Reel
GP2S24BCJ00F 技術參數
  • GP2S24 功能描述:PHOTOINTERRUPTER REFLEC .8MM DIP 制造商:sharp microelectronics 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:過期 感應距離:0.031"(0.8mm) 感應方法:反射 電壓 - 集射極擊穿(最大值):35V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):20mA 電流 - DC 正向(If):50mA 輸出類型:光電晶體管 響應時間:20μs,20μs 安裝類型:通孔 封裝/外殼:PCB 安裝 工作溫度:-25°C ~ 85°C 標準包裝:50 GP2M020A060N 功能描述:MOSFET N-CH 600V 20A TO3PN 制造商:global power technologies group 系列:- 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):20A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):330 毫歐 @ 10A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):70nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):3184pF @ 25V 功率 - 最大值:347W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-3P-3,SC-65-3 供應商器件封裝:TO-3PN 標準包裝:1 GP2M020A050H 功能描述:MOSFET N-CH 500V 18A TO220 制造商:global power technologies group 系列:- 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):500V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):18A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):300 毫歐 @ 9A, 10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):44nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2880pF @ 25V 功率 - 最大值:290W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220 標準包裝:1 GP2M013A050F 功能描述:MOSFET N-CH 500V 13A TO220F 制造商:global power technologies group 系列:- 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):500V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):13A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):480 毫歐 @ 6.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):35nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1798pF @ 25V 功率 - 最大值:52W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商器件封裝:TO-220F 標準包裝:1 GP2M012A080NG 功能描述:MOSFET N-CH 800V 12A TO3PN 制造商:global power technologies group 系列:- 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):800V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):12A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):650 毫歐 @ 6A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):79nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):3370pF @ 25V 功率 - 最大值:416W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-3P-3,SC-65-3 供應商器件封裝:TO-3PN 標準包裝:1 GP2S40 GP2S40J0000F GP2S40JJ000F GP2S60 GP2S60A GP2S60B GP2S700HCP GP2W0004XP GP2W0004XP0F GP2W0004YP GP2W0004YP0F GP2W0110YPS GP2W0110YPSF GP2W0112YP GP2W0112YP0F GP2W0114YP0F GP2W0114YPS GP2W0116YP0F
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