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IDT70R3020-33J

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  • 深圳市佳斯泰科技有限公司
    深圳市佳斯泰科技有限公司

    聯(lián)系人:廖小姐

    電話:13410012158

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)華強北上航大廈西座四層

  • 1652

  • IDT

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  • IDT70R3020-33J
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  • 深圳市芯睿晨科技有限公司
    深圳市芯睿晨科技有限公司

    聯(lián)系人:李小姐/肖先生

    電話:0755-8257149682571956

    地址:賽格廣場69樓6900

    資質:營業(yè)執(zhí)照

  • 13985

  • IDT

  • 原廠封裝

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  • IDT70R3020-33J
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  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 8650000

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  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質:營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • IDT

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  • 09/10+

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  • 假一罰十,百分百原裝正品

  • 1/1頁 40條/頁 共12條 
  • 1
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IDT70R3020-33J 技術參數(shù)
  • IDT70P3537S250RM 功能描述:IC SRAM 18MBIT 250MHZ 576FCBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 產品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標準包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步,DDR II 存儲容量:18M(1M x 18) 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應商設備封裝:165-CABGA(13x15) 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ IDT70P3537S233RMI 功能描述:IC SRAM 18MBIT 233MHZ 576FCBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 產品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標準包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步,DDR II 存儲容量:18M(1M x 18) 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應商設備封裝:165-CABGA(13x15) 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ IDT70P3537S233RM 功能描述:IC SRAM 18MBIT 233MHZ 576FCBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 產品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標準包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步,DDR II 存儲容量:18M(1M x 18) 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應商設備封裝:165-CABGA(13x15) 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ IDT70P3519S166BFGI 功能描述:IC SRAM 9MBIT 166MHZ 208FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 產品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標準包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步,DDR II 存儲容量:18M(1M x 18) 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應商設備封裝:165-CABGA(13x15) 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ IDT70P3517S250RM 功能描述:IC SRAM 9MBIT 250MHZ 576FCBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 產品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標準包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步,DDR II 存儲容量:18M(1M x 18) 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應商設備封裝:165-CABGA(13x15) 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ IDT70T631S15DD IDT70T633S10DD IDT70T633S12DD IDT70T633S12DDI IDT70T633S15DD IDT70V27S20PFI IDT70V7319S133DD IDT70V7319S133DDI IDT70V7319S166DD IDT70V7319S166DDI IDT70V7339S133DD IDT70V7339S133DDI IDT70V7339S166DD IDT70V7339S166DDI IDT71016S12PH IDT71016S12PH8 IDT71016S12PHGI IDT71016S12PHGI8
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