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IDT7164L85TD

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  • IDT7164L85TDB
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  • 深圳市深美諾電子科技有限公司
    深圳市深美諾電子科技有限公司

    聯(lián)系人:李燕兵

    電話:82525918

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路上步工業(yè)區(qū)101棟5樓517-532室

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 6000

  • IDT

  • 28 300M

  • 22+

  • -
  • 全新原裝現(xiàn)貨供應(yīng)

  • IDT7164L85TDB
    IDT7164L85TDB

    IDT7164L85TDB

  • 深圳市藍(lán)山航業(yè)電子科技有限公司
    深圳市藍(lán)山航業(yè)電子科技有限公司

    聯(lián)系人:陳偉

    電話:0755-83979745

    地址:新亞洲二期N2A090

  • 500000

  • IDT

  • 長(zhǎng)期備有現(xiàn)貨

  • 22+

  • -
  • 行業(yè)低價(jià),代理渠道

  • IDT7164L85TDB
    IDT7164L85TDB

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  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • IDT

  • N/A

  • 00+

  • -
  • 假一罰十,百分百原裝正品

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共12條 
  • 1
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IDT7164L85TD 技術(shù)參數(shù)
  • IDT7164L35YGI8 功能描述:IC SRAM 64KBIT 35NS 28SOJ RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步,DDR II 存儲(chǔ)容量:18M(1M x 18) 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA(13x15) 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ IDT7164L35YGI 功能描述:IC SRAM 64KBIT 35NS 28SOJ RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步,DDR II 存儲(chǔ)容量:18M(1M x 18) 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA(13x15) 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ IDT7164L35YG8 功能描述:IC SRAM 64KBIT 35NS 28SOJ RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步,DDR II 存儲(chǔ)容量:18M(1M x 18) 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA(13x15) 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ IDT7164L35YG 功能描述:IC SRAM 64KBIT 35NS 28SOJ RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步,DDR II 存儲(chǔ)容量:18M(1M x 18) 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA(13x15) 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ IDT7164L35Y 功能描述:IC SRAM 64KBIT 35NS 28SOJ RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步,DDR II 存儲(chǔ)容量:18M(1M x 18) 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA(13x15) 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ IDT7164S35YG IDT7164S35YG8 IDT7164S35YGI IDT7164S35YGI8 IDT71P71604S167BQ IDT71P71604S167BQ8 IDT71P71604S167BQG IDT71P71604S167BQG8 IDT71P71604S200BQ IDT71P71604S200BQ8 IDT71P71604S200BQG IDT71P71604S200BQG8 IDT71P71604S250BQ IDT71P71604S250BQ8 IDT71P71604S250BQG IDT71P71604S250BQG8 IDT71P71804S167BQ IDT71P71804S167BQ8
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