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IDT7164S35TDB

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  • IDT7164S35TDB
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  • 深圳市英科美電子有限公司
    深圳市英科美電子有限公司

    聯(lián)系人:張先生

    電話:0755-23903058

    地址:深圳市福田區(qū)振興路西101號華勻大廈1棟7F

  • 3000

  • IDT

  • CDIP

  • 22+

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  • 每一片都來自原廠,正品保證

  • IDT7164S35TDB
    IDT7164S35TDB

    IDT7164S35TDB

  • 深圳市科思奇電子科技有限公司
    深圳市科思奇電子科技有限公司

    聯(lián)系人:林小姐/歐陽先生

    電話:0755-832450508278593918923762408微信同號

    地址:深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)501棟1109-1110室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 3000

  • IDT

  • CDIP

  • 20+

  • -
  • 科思奇現(xiàn)貨庫存,全新原裝

  • IDT7164S35TDB
    IDT7164S35TDB

    IDT7164S35TDB

  • 深圳市大源實業(yè)科技有限公司
    深圳市大源實業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人:李女士

    電話:1530261991513762584085

    地址:深圳市龍崗區(qū)五和大道山海商業(yè)廣場C座707室

  • 6800

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  • N/A

  • 24+

  • -
  • 原裝,公司部分現(xiàn)貨,有單來談QQ:161...

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IDT7164S35TDB PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準(zhǔn)
  • 制造商
  • Integrated Device Technology Inc
  • 功能描述
  • IC SRAM 64KBIT 35NS 28CDIP
IDT7164S35TDB 技術(shù)參數(shù)
  • IDT7164S20YI8 功能描述:IC SRAM 64KBIT 20NS 28SOJ RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步,DDR II 存儲容量:18M(1M x 18) 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA(13x15) 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ IDT7164S20YI 功能描述:IC SRAM 64KBIT 20NS 28SOJ RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步,DDR II 存儲容量:18M(1M x 18) 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA(13x15) 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ IDT7164S20Y8 功能描述:IC SRAM 64KBIT 20NS 28SOJ RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步,DDR II 存儲容量:18M(1M x 18) 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA(13x15) 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ IDT7164S20Y 功能描述:IC SRAM 64KBIT 20NS 28SOJ RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步,DDR II 存儲容量:18M(1M x 18) 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA(13x15) 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ IDT7164S20TPI 功能描述:IC SRAM 64KBIT 20NS 28DIP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步,DDR II 存儲容量:18M(1M x 18) 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA(13x15) 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ IDT71P71604S200BQ IDT71P71604S200BQ8 IDT71P71604S200BQG IDT71P71604S200BQG8 IDT71P71604S250BQ IDT71P71604S250BQ8 IDT71P71604S250BQG IDT71P71604S250BQG8 IDT71P71804S167BQ IDT71P71804S167BQ8 IDT71P71804S167BQG IDT71P71804S200BQ IDT71P71804S200BQ8 IDT71P71804S200BQG IDT71P71804S200BQG8 IDT71P71804S250BQ IDT71P71804S250BQ8 IDT71P71804S250BQG
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