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IRFD624

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  • 封裝
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  • 操作
  • IRFD624
    IRFD624

    IRFD624

  • 深圳市科思奇電子科技有限公司
    深圳市科思奇電子科技有限公司

    聯系人:林小姐/歐陽先生

    電話:0755-832450508278593918923762408微信同號

    地址:深圳市福田區上步工業區501棟1109-1110室

    資質:營業執照

  • 6000

  • IR

  • DIP-4

  • 23+

  • -
  • 只做原裝正品

  • IRFD624
    IRFD624

    IRFD624

  • 北京元坤偉業科技有限公司
    北京元坤偉業科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室

    資質:營業執照

  • 3000

  • IR

  • 原廠封裝

  • 2009+

  • -
  • IRFD624
    IRFD624

    IRFD624

  • 北京元坤偉業科技有限公司
    北京元坤偉業科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室

    資質:營業執照

  • 3000

  • IR

  • 原廠封裝

  • 2009+

  • -
  • 全新原裝100%正品保證質量

  • 1/1頁 40條/頁 共6條 
  • 1
IRFD624 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
IRFD624 技術參數
  • IRF840 功能描述:MOSFET N-CH 500V 8A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH? II 包裝:管件 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):500V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):8A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):850 毫歐 @ 3.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):39nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):832pF @ 25V 功率 - 最大值:125W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 IRF830 功能描述:MOSFET N-CH 500V 4.5A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包裝:管件 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):500V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):4.5A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.5 歐姆 @ 2.7A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):30nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):610pF @ 25V 功率 - 最大值:100W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 IRF820 功能描述:MOSFET N-CH 500V 4A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH? II 包裝:管件 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):500V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):4A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):3 歐姆 @ 1.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):17nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):315pF @ 25V 功率 - 最大值:80W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 IRF740 功能描述:MOSFET N-CH 400V 10A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH? II 包裝:管件 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):400V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):10A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):550 毫歐 @ 5.3A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):43nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1400pF @ 25V 功率 - 最大值:125W 工作溫度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 IRF730 功能描述:MOSFET N-CH 400V 5.5A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH? II 包裝:管件 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):400V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):5.5A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1 歐姆 @ 3A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):24nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):530pF @ 25V 功率 - 最大值:100W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 IRFD9110PBF IRFD9113 IRFD9120 IRFD9120PBF IRFD9123 IRFD9123PBF IRFD9210 IRFD9210PBF IRFD9220 IRFD9220PBF IRFDC20 IRFDC20PBF IRFH3702TR2PBF IRFH3702TRPBF IRFH3707TR2PBF IRFH3707TRPBF IRFH4201TRPBF IRFH4209DTRPBF
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