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IS61NP12836

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IS61NP12836-133TQ
深圳市華芯盛世科技有限公司
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電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
865000
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IS61NP12836-100TQ
北京元坤偉業科技有限公司
北京元坤偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
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北京元坤偉業科技有限公司
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IS61NP12836 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

IS61NP12836 技術參數

IS61NLP6432A-200TQLI-TR 功能描述:靜態隨機存取存儲器 2Mb 64Kx32 200Mhz Sync 靜態隨機存取存儲器 3.3v RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray IS61NLP6432A-200TQLI 功能描述:靜態隨機存取存儲器 2Mb 64Kx32 200Mhz Sync 靜態隨機存取存儲器 3.3v RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray IS61NLP51236B-200TQLI 功能描述:IC SRAM 18MBIT 200MHZ 100TQFP 制造商:issi, integrated silicon solution inc 系列:- 包裝:托盤零件狀態:有效格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步存儲容量:18M（512K x 36）速度:200MHz 接口:并聯電壓 - 電源:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA）封裝/外殼:100-LQFP 供應商器件封裝:100-LQFP（14x20）標準包裝:72 IS61NLP51236B-200B3LI 功能描述:IC SRAM 18MBIT 200MHZ 165BGA 制造商:issi, integrated silicon solution inc 系列:- 包裝:托盤零件狀態:有效格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步存儲容量:18M（512K x 36）速度:200MHz 接口:并聯電壓 - 電源:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA）封裝/外殼:165-TBGA 供應商器件封裝:165-TFBGA（13x15）標準包裝:144 IS61NLP51236-250TQLI-TR 功能描述:靜態隨機存取存儲器 18M (512Kx36) 250MHz Sync 靜態隨機存取存儲器 3.3v RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray IS61NVF51236B-7.5TQLI-TR IS61NVP204818B-200TQLI IS61NVP204818B-200TQLI-TR IS61NVP204836B-166TQLI IS61NVP204836B-166TQLI-TR IS61NVP25636A-200TQLI IS61NVP25636A-200TQLI-TR IS61NVP409618B-250B3L IS61NVP409618B-250B3L-TR IS61NVP51236-200B3I IS61NVP51236-200B3I-TR IS61NVP51236-200B3LI IS61NVP51236-200B3LI-TR IS61NVP51236-200TQLI IS61NVP51236-200TQLI-TR IS61NVP51236B-200B3I IS61NVP51236B-200B3I-TR IS61NVP51236B-200B3LI