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IS61WV2561BLL-10BL

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IS61WV2561BLL-10BL 技術參數

IS61WV25616EDBLL-8TLI-TR 功能描述:靜態隨機存取存儲器 4Mb (256K x 16) 8ns Async 靜態隨機存取存儲器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray IS61WV25616EDBLL-8TLI 功能描述:靜態隨機存取存儲器 4Mb (256K x 16) 8ns Async 靜態隨機存取存儲器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray IS61WV25616EDBLL-8BLI 功能描述:IC SRAM 4MB 8NS 3.3V HS 48MBGA 制造商:issi, integrated silicon solution inc 系列:- 包裝:托盤零件狀態:有效格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 異步存儲容量:4M（256K x 16）速度:8ns 接口:并聯電壓 - 電源:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA）封裝/外殼:48-TFBGA 供應商器件封裝:48-TFBGA（6x8）標準包裝:480 IS61WV25616EDBLL-10TLI-TR 功能描述:靜態隨機存取存儲器 4Mb 512K x 8 10ns Async 靜態隨機存取存儲器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray IS61WV25616EDBLL-10TLI 功能描述:靜態隨機存取存儲器 4Mb 512K x 8 10ns Async 靜態隨機存取存儲器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray IS61WV3216BLL-12TLI-TR IS61WV3216DBLL-10TLI IS61WV3216DBLL-10TLI-TR IS61WV51216BLL-10MLI IS61WV51216BLL-10MLI-TR IS61WV51216BLL-10TLI IS61WV51216BLL-10TLI-TR IS61WV51216EDALL-20BLI IS61WV51216EDALL-20BLI-TR IS61WV51216EDALL-20TLI IS61WV51216EDALL-20TLI-TR IS61WV51216EDBLL-10BLI IS61WV51216EDBLL-10BLI-TR IS61WV51216EDBLL-10TLI IS61WV51216EDBLL-10TLI-TR IS61WV51216EDBLL-8BLI IS61WV51216EDBLL-8BLI-TR IS61WV51216EDBLL-8TLI