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IS61WV51216BLL-10TLI/SRAM

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IS61WV51216BLL-10TLI/SRAM 技術參數

IS61WV51216BLL-10TLI 功能描述:靜態隨機存取存儲器 8M (512Kx16) 10ns Async 靜態隨機存取存儲器 3.3v RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray IS61WV51216BLL-10MLI-TR 功能描述:靜態隨機存取存儲器 8M (512Kx16) 10ns Async 靜態隨機存取存儲器 3.3v RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray IS61WV51216BLL-10MLI 功能描述:靜態隨機存取存儲器 8M (512Kx16) 10ns Async 靜態隨機存取存儲器 3.3v RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray IS61WV3216DBLL-10TLI-TR 功能描述:靜態隨機存取存儲器 512K, 2.4-3.6V, 10ns 32Kx16 Asynch 靜態隨機存取存儲器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray IS61WV3216DBLL-10TLI 功能描述:靜態隨機存取存儲器 512K, 2.4-3.6V, 10ns 32Kx16 Asynch 靜態隨機存取存儲器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray IS61WV51216EDBLL-8BLI IS61WV51216EDBLL-8BLI-TR IS61WV51216EDBLL-8TLI IS61WV51216EDBLL-8TLI-TR IS61WV51232BLL-10BLI IS61WV51232BLL-10BLI-TR IS61WV5128BLL-10BI IS61WV5128BLL-10BI-TR IS61WV5128BLL-10BLI IS61WV5128BLL-10BLI-TR IS61WV5128BLL-10KLI IS61WV5128BLL-10KLI-TR IS61WV5128BLL-10TLI IS61WV5128BLL-10TLI-TR IS61WV5128BLS-25TLI IS61WV5128BLS-25TLI-TR IS61WV5128EDBLL-10BLI IS61WV5128EDBLL-10BLI-TR