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IX2159CE

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IX2159CE PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

IX2159CE 技術參數

IX2127NTR 功能描述:IC MOSFET/IGBT DVR 600V 8-SOIC RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 外部開關系列:* 標準包裝:50 系列:- 配置:低端輸入類型:非反相延遲時間:40ns 電流 - 峰:9A 配置數:1 輸出數:1 高端電壓 - 最大（自引導啟動）:- 電源電壓:4.5 V ~ 35 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-6，D²Pak（5 引線+接片），TO-263BA 供應商設備封裝:TO-263 包裝:管件 IX2127N 功能描述:IC HIGH SIDE DRIVER 8SOIC RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 外部開關系列:- 標準包裝:95 系列:- 配置:高端和低端，獨立輸入類型:非反相延遲時間:160ns 電流 - 峰:290mA 配置數:1 輸出數:2 高端電壓 - 最大（自引導啟動）:600V 電源電壓:10 V ~ 20 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商設備封裝:8-SOIC 包裝:管件產品目錄頁面:1381 (CN2011-ZH PDF) IX2127G 功能描述:IC HIGH SIDE DRIVER 8DIP RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 外部開關系列:- 標準包裝:95 系列:- 配置:半橋輸入類型:PWM 延遲時間:25ns 電流 - 峰:1.6A 配置數:1 輸出數:2 高端電壓 - 最大（自引導啟動）:118V 電源電壓:9 V ~ 14 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商設備封裝:8-SOIC 包裝:管件產品目錄頁面:1282 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:*LM5104M*LM5104M/NOPBLM5104M IX2120BTR 功能描述:1200V HIGH AND LOW SIDE GATE DRI 制造商:ixys integrated circuits division 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效驅動配置:半橋通道類型:獨立式驅動器數:2 柵極類型:IGBT，N 溝道 MOSFET 電壓 - 電源:15 V ~ 20 V 邏輯電壓?- VIL，VIH:6V，9.5V 電流 - 峰值輸出（灌入，拉出）:2A，2A 輸入類型:非反相高壓側電壓 - 最大值（自舉）:1200V 上升/下降時間（典型值）:9.4ns，9.7ns 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:28-SOIC（0.295"，7.50mm 寬）供應商器件封裝:28-SOIC 標準包裝:1 IX2120B 功能描述:1200V HIGH AND LOW SIDE GATE DRI 制造商:ixys integrated circuits division 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效驅動配置:半橋通道類型:獨立式驅動器數:2 柵極類型:IGBT，N 溝道 MOSFET 電壓 - 電源:15 V ~ 20 V 邏輯電壓?- VIL，VIH:6V，9.5V 電流 - 峰值輸出（灌入，拉出）:2A，2A 輸入類型:非反相高壓側電壓 - 最大值（自舉）:1200V 上升/下降時間（典型值）:9.4ns，9.7ns 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:28-SOIC（0.295"，7.50mm 寬）供應商器件封裝:28-SOIC 標準包裝:28 IX2B11P7 IX2B11S7 IX2B11S7T/R IX2C11P1 IX2C11S1 IX2C11S1T/R IX2D11P7 IX2D11S7 IX2D11S7T/R IX2R11M6 IX2R11M6T/R IX2R11P7 IX2R11S3 IX2R11S3T/R IX3120G IX3120GE IX3120GES IX3120GESTR