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IX21844G

配單專家企業名單
  • 型號
  • 供應商
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  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • IX21844G
    IX21844G

    IX21844G

  • 深圳市芯脈實業有限公司
    深圳市芯脈實業有限公司

    聯系人:高先生/曹先生/周小姐

    電話:185208051481348786585213760272017

    地址:深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室

  • 31355

  • IXYS Integrated Circuits

  • DIP-14

  • 25+

  • -
  • 全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

  • IX21844G
    IX21844G

    IX21844G

  • 北京首天偉業科技有限公司
    北京首天偉業科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-621049316210489162104578

    地址: 廣東省深圳市福田區華強北街道電子科技大廈C座23E

    資質:營業執照

  • 5000

  • IXYS Integrated Circuits

  • 標準封裝

  • 16+

  • -
  • 假一罰十

  • IX21844G
    IX21844G

    IX21844G

  • 深圳市毅創輝電子科技有限公司
    深圳市毅創輝電子科技有限公司

    聯系人:雷春艷

    電話:19129493934(手機優先微信同號)0755-83266697

    地址:深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質:營業執照

  • 240

  • IXYS INTE

  • 1521+

  • -
  • 全新原裝現貨

  • 1/1頁 40條/頁 共11條 
  • 1
IX21844G PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
IX21844G 技術參數
  • IX2127NTR 功能描述:IC MOSFET/IGBT DVR 600V 8-SOIC RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET,電橋驅動器 - 外部開關 系列:* 標準包裝:50 系列:- 配置:低端 輸入類型:非反相 延遲時間:40ns 電流 - 峰:9A 配置數:1 輸出數:1 高端電壓 - 最大(自引導啟動):- 電源電壓:4.5 V ~ 35 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-6,D²Pak(5 引線+接片),TO-263BA 供應商設備封裝:TO-263 包裝:管件 IX2127N 功能描述:IC HIGH SIDE DRIVER 8SOIC RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET,電橋驅動器 - 外部開關 系列:- 標準包裝:95 系列:- 配置:高端和低端,獨立 輸入類型:非反相 延遲時間:160ns 電流 - 峰:290mA 配置數:1 輸出數:2 高端電壓 - 最大(自引導啟動):600V 電源電壓:10 V ~ 20 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應商設備封裝:8-SOIC 包裝:管件 產品目錄頁面:1381 (CN2011-ZH PDF) IX2127G 功能描述:IC HIGH SIDE DRIVER 8DIP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET,電橋驅動器 - 外部開關 系列:- 標準包裝:95 系列:- 配置:半橋 輸入類型:PWM 延遲時間:25ns 電流 - 峰:1.6A 配置數:1 輸出數:2 高端電壓 - 最大(自引導啟動):118V 電源電壓:9 V ~ 14 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應商設備封裝:8-SOIC 包裝:管件 產品目錄頁面:1282 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:*LM5104M*LM5104M/NOPBLM5104M IX2120BTR 功能描述:1200V HIGH AND LOW SIDE GATE DRI 制造商:ixys integrated circuits division 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 驅動配置:半橋 通道類型:獨立式 驅動器數:2 柵極類型:IGBT,N 溝道 MOSFET 電壓 - 電源:15 V ~ 20 V 邏輯電壓?- VIL,VIH:6V,9.5V 電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):2A,2A 輸入類型:非反相 高壓側電壓 - 最大值(自舉):1200V 上升/下降時間(典型值):9.4ns,9.7ns 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:28-SOIC(0.295",7.50mm 寬) 供應商器件封裝:28-SOIC 標準包裝:1 IX2120B 功能描述:1200V HIGH AND LOW SIDE GATE DRI 制造商:ixys integrated circuits division 系列:- 包裝:管件 零件狀態:有效 驅動配置:半橋 通道類型:獨立式 驅動器數:2 柵極類型:IGBT,N 溝道 MOSFET 電壓 - 電源:15 V ~ 20 V 邏輯電壓?- VIL,VIH:6V,9.5V 電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):2A,2A 輸入類型:非反相 高壓側電壓 - 最大值(自舉):1200V 上升/下降時間(典型值):9.4ns,9.7ns 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:28-SOIC(0.295",7.50mm 寬) 供應商器件封裝:28-SOIC 標準包裝:28 IX2B11S7T/R IX2C11P1 IX2C11S1 IX2C11S1T/R IX2D11P7 IX2D11S7 IX2D11S7T/R IX2R11M6 IX2R11M6T/R IX2R11P7 IX2R11S3 IX2R11S3T/R IX3120G IX3120GE IX3120GES IX3120GESTR IX3120GS IX3120GSTR
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