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IX639CEN1

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IX639CEN1 技術參數

IX4R11S3T/R 功能描述:功率驅動器IC 4 Amps 35V 3.7 Rds RoHS:否制造商:Micrel 產品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube IX4R11S3 功能描述:IC DRVR HALF BRIDGE 4A 16-SOIC RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 外部開關系列:- 標準包裝:50 系列:- 配置:高端輸入類型:非反相延遲時間:200ns 電流 - 峰:250mA 配置數:1 輸出數:1 高端電壓 - 最大（自引導啟動）:600V 電源電壓:12 V ~ 20 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm）供應商設備封裝:8-DIP 包裝:管件其它名稱:*IR2127 IX4R11P7 功能描述:IC DRVR HALF BRIDGE 4A 14-PDIP RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 外部開關系列:- 標準包裝:50 系列:- 配置:高端輸入類型:非反相延遲時間:200ns 電流 - 峰:250mA 配置數:1 輸出數:1 高端電壓 - 最大（自引導啟動）:600V 電源電壓:12 V ~ 20 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm）供應商設備封裝:8-DIP 包裝:管件其它名稱:*IR2127 IX4R11M6T/R 功能描述:功率驅動器IC 4 Amps 35V 3.7 Rds RoHS:否制造商:Micrel 產品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube IX4R11M6 功能描述:功率驅動器IC 4 Amps 35V 3.7 Rds RoHS:否制造商:Micrel 產品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube IX6S11S6 IX6S11S6T/R IX9907N IX9907NTR IX9908-EVAL IX9908N IX9908NTR IXA12IF1200HB IXA12IF1200PB IXA12IF1200TC IXA17IF1200HJ IXA20I1200PB IXA20IF1200HB IXA20PG1200DHGLB IXA20PG1200DHGLB-TRR IXA20RG1200DHGLB IXA20RG1200DHGLB-TRR IXA220I650NA