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IXDN609SIATR

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操作

IXDN609SIATR
深圳市佳斯泰科技有限公司
深圳市佳斯泰科技有限公司
聯系人：廖小姐
電話：13410012158
地址：廣東省深圳市福田區華強北上航大廈西座四層
1800
IXYS
8-SOIC
22+
-

IXDN609SIATR
北京首天偉業科技有限公司
北京首天偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-621049316210489162104578
地址： 廣東省深圳市福田區華強北街道電子科技大廈C座23E
資質：營業執照
5000
IXYS Integrated Circuits
標準封裝
16+
-
假一罰十

IXDN609SIATR
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：雷春艷
電話：19129493934（手機優先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業執照
29505
IXYS INTE
1521+
-
全新原裝現貨

IXDN609SIATR
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：譚玉麗
電話：19129491949(手機優先微信同號)0755-83267816
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
10001
IXYS Integrated Circuits
8-SOIC（0.154"，3.90mm
12+
-
授權分銷現貨熱賣

IXDN609SIATR
深圳市興合盛科技發展有限公司
深圳市興合盛科技發展有限公司
聯系人：銷售部：馬先生
電話：0755-8335078918923859456
地址：深圳市福田區華強北上步工業區8棟829/北京市海淀區中關村中銀街168-9號/香港辦事處:香港大理石
資質：營業執照
369
IXYS Integrated Circuits
8-SOIC
23+
-
真實的資源竭誠服務您！

IXDN609SIATR
科創特電子（香港）有限公司
科創特電子（香港）有限公司
聯系人：柯
電話：0755-83014603
地址：深圳市福田區深南中路3006號佳和大廈B座907
2000
IXYS INTEG.CIRCUITS DIV(C
主營優勢
19+
-
100%原裝正品★終端免費供樣★

IXDN609SIATR
深圳市華雄半導體（集團）有限公司
深圳市華雄半導體（集團）有限公司
聯系人：雷精云
電話：18988598856
地址：深圳龍崗區棕科云端大廈1棟B座15層
資質：營業執照
3832
IXYS
SOP-8
2205+
-
十年專營，供應原裝正品！熱賣現貨！

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功能描述
IC GATE DVR 9A NON-INV 8SOIC
RoHS
是
類別
集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 外部開關
系列
-
標準包裝
50
系列
-
配置
低端
輸入類型
非反相
延遲時間
40ns
電流 - 峰
9A
配置數
1
輸出數
1
高端電壓 - 最大（自引導啟動）
-
電源電壓
4.5 V ~ 35 V
工作溫度
-40°C ~ 125°C
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-263-6，D²Pak（5 引線+接片），TO-263BA
供應商設備封裝
TO-263
包裝
管件

IXDN609SIATR 技術參數

IXDN609SIA 功能描述:功率驅動器IC 9-Ampere Low-Side Ultrafast MOSFET RoHS:否制造商:Micrel 產品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube IXDN609SI 功能描述:IC GATE DVR 9A NON-INV 8-SOIC RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 外部開關系列:- 標準包裝:95 系列:- 配置:高端和低端，獨立輸入類型:非反相延遲時間:160ns 電流 - 峰:290mA 配置數:1 輸出數:2 高端電壓 - 最大（自引導啟動）:600V 電源電壓:10 V ~ 20 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商設備封裝:8-SOIC 包裝:管件產品目錄頁面:1381 (CN2011-ZH PDF) IXDN609PI 功能描述:IC GATE DVR 9A NON-INV 8DIP RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 外部開關系列:- 標準包裝:50 系列:- 配置:低端輸入類型:非反相延遲時間:40ns 電流 - 峰:9A 配置數:1 輸出數:1 高端電壓 - 最大（自引導啟動）:- 電源電壓:4.5 V ~ 35 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-6，D²Pak（5 引線+接片），TO-263BA 供應商設備封裝:TO-263 包裝:管件 IXDN609CI 功能描述:IC GATE DVR 9A NON-INV TO220-5 RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 外部開關系列:- 標準包裝:5 系列:- 配置:低端輸入類型:非反相延遲時間:600ns 電流 - 峰:12A 配置數:1 輸出數:1 高端電壓 - 最大（自引導啟動）:- 電源電壓:14.2 V ~ 15.8 V 工作溫度:-20°C ~ 60°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:21-SIP 模塊供應商設備封裝:模塊包裝:散裝配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名稱:835-1063 IXDN604SITR 功能描述:功率驅動器IC 4A Dual Low-Side Ultrafast Mosfet DRV RoHS:否制造商:Micrel 產品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube IXDN630MYI IXDN630YI IXDN75N120 IXDP20N60B IXDP20N60BD1 IXDP35N60B IXDP610PI IXDP630PI IXDP631PI IXDR30N120 IXDR30N120D1 IXDR35N60BD1 IXDR502D1B IXDS430SI IXDS502D1B IXDT30N120 IXE611P1 IXE611S1