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IXGR60N60C2D2

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IXGR60N60C2D2 技術參數

IXG611S1T/R 功能描述:IGBT 晶體管 0.6 Amps 35V 25 Rds RoHS:否制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube IXG611S1 功能描述:IC DRIVER MOSF/IGBT 0.6A 8-SOIC RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 外部開關系列:- 標準包裝:50 系列:- 配置:高端輸入類型:非反相延遲時間:200ns 電流 - 峰:250mA 配置數:1 輸出數:1 高端電壓 - 最大（自引導啟動）:600V 電源電壓:12 V ~ 20 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm）供應商設備封裝:8-DIP 包裝:管件其它名稱:*IR2127 IXG611P1 功能描述:IC DRIVER MOSF/IGBT 0.6A 8-PDIP RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 外部開關系列:- 標準包裝:50 系列:- 配置:高端輸入類型:非反相延遲時間:200ns 電流 - 峰:250mA 配置數:1 輸出數:1 高端電壓 - 最大（自引導啟動）:600V 電源電壓:12 V ~ 20 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm）供應商設備封裝:8-DIP 包裝:管件其它名稱:*IR2127 IXF6401BEC7A1835148 功能描述:IC PROCESSOR BROADBAND 352BGA RoHS:否類別:集成電路 (IC) >> 接口 - 電信系列:- 產品培訓模塊:Lead (SnPb) Finish for COTS 產品變化通告:Product Discontinuation 06/Feb/2012 標準包裝:750 系列:* IXF611S1T/R 功能描述:功率驅動器IC 0.6 Amps 35V 25 Rds RoHS:否制造商:Micrel 產品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube IXGT10N170 IXGT10N170A IXGT12N120A2D1 IXGT15N120B IXGT15N120BD1 IXGT15N120C IXGT15N120CD1 IXGT16N170 IXGT16N170A IXGT16N170AH1 IXGT20N100 IXGT20N120 IXGT20N120B IXGT20N120BD1 IXGT20N140C3H1 IXGT20N60B IXGT20N60BD1 IXGT24N170