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IXTY01N100TRL

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  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
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    聯(lián)系人:唐先生

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    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

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IXTY01N100TRL 技術參數(shù)
  • IXS839S1T/R 功能描述:功率驅(qū)動器IC 2 / 4 Amps 30V 2.2 / 1.2 Ohm Rds RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube IXS839S1 功能描述:功率驅(qū)動器IC 2 / 4 Amps 30V 2.2 / 1.2 Ohm Rds RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube IXS839BQ2T/R 功能描述:功率驅(qū)動器IC 2 / 4 Amps 30V 2.2 / 1.2 Ohm Rds RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube IXS839BQ2 功能描述:功率驅(qū)動器IC 2 / 4 Amps 30V 2.2 / 1.2 Ohm Rds RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube IXS839AQ2T/R 功能描述:功率驅(qū)動器IC 2 / 4 Amps 30V 2.2 / 1.2 Ohm Rds RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube IXTY12N06T IXTY12N06TTRL IXTY15N20T IXTY15P15T IXTY18P10T IXTY1N100P IXTY1N120P IXTY1N80 IXTY1N80P IXTY1R4N100P IXTY1R4N120P IXTY1R4N60P IXTY1R6N100D2 IXTY1R6N50D2 IXTY1R6N50P IXTY24N15T IXTY26P10T IXTY2N100P
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