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IXYJ20N120C3D1

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  • 數量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • IXYJ20N120C3D1
    IXYJ20N120C3D1

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  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。

  • 865000

  • IXYS

  • TO-247

  • 最新批號

  • -
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  • IXYJ20N120C3D1
    IXYJ20N120C3D1

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  • 深圳市芯脈實業有限公司
    深圳市芯脈實業有限公司

    聯系人:曹先生/周小姐/高先生

    電話:134878658521376027201718520805148

    地址:深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室

  • 82264

  • IXYS

  • TO-247-3

  • 25+

  • -
  • 全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

  • IXYJ20N120C3D1
    IXYJ20N120C3D1

    IXYJ20N120C3D1

  • 深圳市毅創輝電子科技有限公司
    深圳市毅創輝電子科技有限公司

    聯系人:何芝

    電話:19129491934(手機優先微信同號)0755-82865099

    地址:深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質:營業執照

  • 2855

  • Ixys

  • ROHS

  • 1223+

  • -
  • 原裝正品,現貨庫存!400-800-03...

  • IXYJ20N120C3D1
    IXYJ20N120C3D1

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  • 北京京華特科技有限公司
    北京京華特科技有限公司

    聯系人:張小姐/韓先生

    電話:010-86398446-8061581080972213911315253

    地址:北京市朝陽區建國門外大街9號樓603室

  • 30

  • IXYS

  • N/A ㊣品

  • N/A 原裝進口

  • -
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  • 1
IXYJ20N120C3D1 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • IGBT 晶體管 XPT 1200V IGBT GenX7 XPT IGBT
  • RoHS
  • 制造商
  • Fairchild Semiconductor
  • 配置
  • 集電極—發射極最大電壓 VCEO
  • 650 V
  • 集電極—射極飽和電壓
  • 2.3 V
  • 柵極/發射極最大電壓
  • 20 V
  • 在25 C的連續集電極電流
  • 150 A
  • 柵極—射極漏泄電流
  • 400 nA
  • 功率耗散
  • 187 W
  • 最大工作溫度
  • 封裝 / 箱體
  • TO-247
  • 封裝
  • Tube
IXYJ20N120C3D1 技術參數
  • IXS839S1T/R 功能描述:功率驅動器IC 2 / 4 Amps 30V 2.2 / 1.2 Ohm Rds RoHS:否 制造商:Micrel 產品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube IXS839S1 功能描述:功率驅動器IC 2 / 4 Amps 30V 2.2 / 1.2 Ohm Rds RoHS:否 制造商:Micrel 產品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube IXS839BQ2T/R 功能描述:功率驅動器IC 2 / 4 Amps 30V 2.2 / 1.2 Ohm Rds RoHS:否 制造商:Micrel 產品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube IXS839BQ2 功能描述:功率驅動器IC 2 / 4 Amps 30V 2.2 / 1.2 Ohm Rds RoHS:否 制造商:Micrel 產品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube IXS839AQ2T/R 功能描述:功率驅動器IC 2 / 4 Amps 30V 2.2 / 1.2 Ohm Rds RoHS:否 制造商:Micrel 產品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube IXYN100N65C3H1 IXYN120N120C3 IXYN30N170CV1 IXYN50N170CV1 IXYN80N90C3H1 IXYN82N120C3 IXYN82N120C3H1 IXYP10N65C3 IXYP10N65C3D1 IXYP15N65C3 IXYP15N65C3D1 IXYP15N65C3D1M IXYP20N120C3 IXYP20N65C3D1 IXYP20N65C3D1M IXYP30N120C3 IXYP50N65C3 IXYP8N90C3
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