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JAN1N4148-1C

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JAN1N4148-1C 技術參數

JAN1N4148-1 功能描述:Diode Standard 75V 200mA Through Hole DO-35 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/116 包裝:散裝零件狀態:在售二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:75V 電流 - 平均整流（Io）:200mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 100mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度反向恢復時間（trr）:20ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 75V 不同?Vr，F 時的電容:4pF @ 0V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 JAN1N4135DUR-1 功能描述:Zener Diode 100V ±1% Surface Mount DO-213AA 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/435 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:100V 容差:±1% 功率 - 最大值:- 阻抗（最大值）（Zzt）:1600 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10nA @ 76V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AA 供應商器件封裝:DO-213AA 標準包裝:1 JAN1N4135D-1 功能描述:Zener Diode 100V ±1% Through Hole DO-35 (DO-204AH) 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/435 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:100V 容差:±1% 功率 - 最大值:- 阻抗（最大值）（Zzt）:1600 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10nA @ 76V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35（DO-204AH）標準包裝:1 JAN1N4135CUR-1 功能描述:Zener Diode 100V ±2% Surface Mount DO-213AA 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/435 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:100V 容差:±2% 功率 - 最大值:- 阻抗（最大值）（Zzt）:1600 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10nA @ 76V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AA 供應商器件封裝:DO-213AA 標準包裝:1 JAN1N4135C-1 功能描述:Zener Diode 100V ±2% Through Hole DO-35 (DO-204AH) 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/435 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:100V 容差:±2% 功率 - 最大值:- 阻抗（最大值）（Zzt）:1600 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10nA @ 76V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35（DO-204AH）標準包裝:1 JAN1N4153-1 JAN1N4245 JAN1N4246 JAN1N4247 JAN1N4248 JAN1N4249 JAN1N4370A-1 JAN1N4370AUR-1 JAN1N4370C-1 JAN1N4370CUR-1 JAN1N4370D-1 JAN1N4370DUR-1 JAN1N4371A-1 JAN1N4371AUR-1 JAN1N4371C-1 JAN1N4371CUR-1 JAN1N4371D-1 JAN1N4371DUR-1