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JAN1N4942A

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JAN1N4942A 技術(shù)參數(shù)
  • JAN1N4942 功能描述:Diode Standard 200V 1A Through Hole 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/359 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.3V @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA（Io） 反向恢復時間（trr）:150ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 200V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:A，軸向 供應(yīng)商器件封裝:* 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 JAN1N4938-1 功能描述:Diode Standard 175V 100mA (DC) Through Hole DO-35 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/169 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:175V 電流 - 平均整流（Io）:100mA（DC） 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 100mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢復時間（trr）:50ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100μA @ 200V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 JAN1N485B 功能描述:Zener Diode 180V 500mW ±2% Through Hole DO-35 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/118 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:180V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 180V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 100mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 JAN1N4627UR-1 功能描述:Zener Diode 6.2V 500mW ±5% Surface Mount DO-213AA 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/435 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:6.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:1200 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 5V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AA 供應(yīng)商器件封裝:DO-213AA 標準包裝:1 JAN1N4627DUR-1 功能描述:Zener Diode 6.2V 500mW ±1% Surface Mount DO-213AA 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/435 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:6.2V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:1200 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 5V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AA 供應(yīng)商器件封裝:DO-213AA 標準包裝:1 JAN1N4955C JAN1N4955CUS JAN1N4955D JAN1N4955DUS JAN1N4955US JAN1N4956 JAN1N4956C JAN1N4956CUS JAN1N4956D JAN1N4956DUS JAN1N4956US JAN1N4957 JAN1N4957C JAN1N4957CUS JAN1N4957D JAN1N4957DUS JAN1N4957US JAN1N4958
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