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JAN1N758A1

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JAN1N758A1 技術參數
  • JAN1N757DUR-1 功能描述:Zener Diode 9.1V 500mW ±1% Surface Mount DO-213AA 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/127 包裝:散裝 零件狀態:在售 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:9.1V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:10 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 7V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AA（玻璃） 供應商器件封裝:DO-213AA 標準包裝:1 JAN1N757D-1 功能描述:Zener Diode 9.1V 500mW ±1% Through Hole DO-35 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/127 包裝:散裝 零件狀態:在售 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:9.1V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:10 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 7V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 JAN1N757CUR-1 功能描述:Zener Diode 9.1V 500mW ±2% Surface Mount DO-213AA 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/127 包裝:散裝 零件狀態:在售 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:9.1V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:10 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 7V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AA（玻璃） 供應商器件封裝:DO-213AA 標準包裝:1 JAN1N757C-1 功能描述:Zener Diode 9.1V 500mW ±2% Through Hole DO-35 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/127 包裝:散裝 零件狀態:在售 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:9.1V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:10 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 7V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 JAN1N757AUR-1 功能描述:Zener Diode 9.1V 500mW ±5% Surface Mount DO-213AA 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/127 包裝:散裝 零件狀態:在售 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:9.1V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:10 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 7V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AA（玻璃） 供應商器件封裝:DO-213AA 標準包裝:1 JAN1N759CUR-1 JAN1N759D-1 JAN1N759DUR-1 JAN1N821-1 JAN1N821UR-1 JAN1N823-1 JAN1N823UR-1 JAN1N825-1 JAN1N825UR-1 JAN1N827-1 JAN1N827UR-1 JAN1N829-1 JAN1N829UR-1 JAN1N914 JAN1N914UR JAN1N935B-1 JAN1N937B-1 JAN1N937BUR-1
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