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JAN1N82G

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JAN1N82G 技術(shù)參數(shù)
  • JAN1N829UR-1 功能描述:Zener Diode 6.2V 500mW ±5% Surface Mount DO-213AA 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/159 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:6.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:15 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:2μA @ 3V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:- 工作溫度:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AA 供應(yīng)商器件封裝:DO-213AA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 JAN1N829-1 功能描述:Zener Diode 6.2V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/159 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:6.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:15 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:2μA @ 3V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:- 工作溫度:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 JAN1N827UR-1 功能描述:Zener Diode 6.2V 500mW ±5% Surface Mount DO-213AA 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/159 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:6.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:15 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:2μA @ 3V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AA 供應(yīng)商器件封裝:DO-213AA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 JAN1N827-1 功能描述:Zener Diode 6.2V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/159 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:6.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:15 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:2μA @ 3V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 JAN1N825UR-1 功能描述:Zener Diode 6.2V 500mW ±5% Surface Mount DO-213AA 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/159 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:6.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:15 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:2μA @ 3V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:- 工作溫度:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AA 供應(yīng)商器件封裝:DO-213AA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 JAN1N945B-1 JAN1N962B-1 JAN1N962BUR-1 JAN1N962C-1 JAN1N962CUR-1 JAN1N962D-1 JAN1N962DUR-1 JAN1N963B-1 JAN1N963BUR-1 JAN1N963C-1 JAN1N963CUR-1 JAN1N963D-1 JAN1N963DUR-1 JAN1N964B-1 JAN1N964BUR-1 JAN1N964C-1 JAN1N964CUR-1 JAN1N964D-1
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