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JAN1N914B

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JAN1N914B 技術參數
  • JAN1N914 功能描述:Diode Standard 75V 200mA Through Hole DO-35 (DO-204AH) 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/116 包裝:散裝 零件狀態:在售 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:75V 電流 - 平均整流（Io）:200mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 50mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢復時間（trr）:20ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 75V 不同?Vr，F 時的電容:2.8pF @ 1.5V，1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應商器件封裝:DO-35（DO-204AH） 工作溫度 - 結:-65°C ~ 150°C 標準包裝:1 JAN1N829UR-1 功能描述:Zener Diode 6.2V 500mW ±5% Surface Mount DO-213AA 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/159 包裝:散裝 零件狀態:在售 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:6.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:15 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2μA @ 3V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:- 工作溫度:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AA 供應商器件封裝:DO-213AA 標準包裝:1 JAN1N829-1 功能描述:Zener Diode 6.2V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/159 包裝:散裝 零件狀態:在售 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:6.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:15 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2μA @ 3V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:- 工作溫度:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 JAN1N827UR-1 功能描述:Zener Diode 6.2V 500mW ±5% Surface Mount DO-213AA 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/159 包裝:散裝 零件狀態:在售 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:6.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:15 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2μA @ 3V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AA 供應商器件封裝:DO-213AA 標準包裝:1 JAN1N827-1 功能描述:Zener Diode 6.2V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/159 包裝:散裝 零件狀態:在售 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:6.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:15 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2μA @ 3V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 JAN1N962B-1 JAN1N962BUR-1 JAN1N962C-1 JAN1N962CUR-1 JAN1N962D-1 JAN1N962DUR-1 JAN1N963B-1 JAN1N963BUR-1 JAN1N963C-1 JAN1N963CUR-1 JAN1N963D-1 JAN1N963DUR-1 JAN1N964B-1 JAN1N964BUR-1 JAN1N964C-1 JAN1N964CUR-1 JAN1N964D-1 JAN1N964DUR-1
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