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JAN1N965BA

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JAN1N965BA 技術參數

JAN1N965B-1 功能描述:Zener Diode 15V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:microsemi ire division 系列:- 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:15V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:16 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 11.4V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 JAN1N964DUR-1 功能描述:Zener Diode 13V 500mW ±1% Surface Mount DO-213AA 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/117 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:13V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:13 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 9.9V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AA（玻璃）供應商器件封裝:DO-213AA 標準包裝:1 JAN1N964D-1 功能描述:Zener Diode 13V 500mW ±1% Through Hole DO-35 (DO-204AH) 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/117 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:13V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:13 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 9.9V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35（DO-204AH）標準包裝:1 JAN1N964CUR-1 功能描述:Zener Diode 13V 500mW ±2% Surface Mount DO-213AA 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/117 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:13V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:13 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 9.9V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AA（玻璃）供應商器件封裝:DO-213AA 標準包裝:1 JAN1N964C-1 功能描述:Zener Diode 13V 500mW ±2% Through Hole DO-35 (DO-204AH) 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/117 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:13V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:13 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 9.9V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35（DO-204AH）標準包裝:1 JAN1N966D-1 JAN1N966DUR-1 JAN1N967B-1 JAN1N967BUR-1 JAN1N967C-1 JAN1N967CUR-1 JAN1N967D-1 JAN1N968B-1 JAN1N968BUR-1 JAN1N968C-1 JAN1N968CUR-1 JAN1N968D-1 JAN1N968DUR-1 JAN1N969B-1 JAN1N969BUR-1 JAN1N969C-1 JAN1N969CUR-1 JAN1N969D-1