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JANS2N2221AL

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制造商
Microsemi Corporation
功能描述
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 3-Pin TO-18
制造商
Microsemi Corporation
功能描述
NPN TRANSISTOR - Bulk
制造商
Microsemi Corporation
功能描述
NPN TRANSISTOR - Waffle Pack

JANS2N2221AL 技術參數

JANS1N943BUR-1 功能描述:Zener Diode 11.7V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/157 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:11.7V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:30 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:15μA @ 8V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 JANS1N941B-1 功能描述:Zener Diode 11.7V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/157 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:11.7V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:30 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:15μA @ 8V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 JANS1N938BUR-1 功能描述:Zener Diode 9V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/156 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:9V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:20 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 6V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:- 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 JANS1N938B-1 功能描述:Zener Diode 9V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/156 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:9V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:20 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 6V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:- 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 JANS1N6761UR-1 功能描述:Diode Schottky 100V 1A Surface Mount 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/586 包裝:散裝零件狀態:在售二極管類型:肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:380mV @ 100mA 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100μA @ 100V 不同?Vr，F 時的電容:70pF @ 5V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AB，MELF（玻璃）供應商器件封裝:- 工作溫度 - 結:-65°C ~ 150°C 標準包裝:1 JANS2N3439U4 JANS2N3439UA JANS2N3440 JANS2N3440U4 JANS2N3440UA JANS2N3499L JANS2N3499L/TR JANS2N3500 JANS2N3501 JANS2N3634UB JANS2N3637 JANS2N3637UB JANS2N3700 JANS2N3763 JANS2N3867 JANS2N4150 JANS2N5004 JANS2N5339U3