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JANTX1N4101UR1

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JANTX1N4101UR1 技術參數
  • JANTX1N4101DUR-1 功能描述:Zener Diode 8.2V 500mW ±1% Surface Mount DO-213AA 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/435 包裝:散裝 零件狀態:在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):8.2V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):200 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 6.3V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AA(玻璃) 供應商器件封裝:DO-213AA 標準包裝:1 JANTX1N4101D-1 功能描述:Zener Diode 8.2V 500mW ±1% Through Hole DO-35 (DO-204AH) 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/435 包裝:散裝 零件狀態:在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):8.2V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):200 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 6.3V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35(DO-204AH) 標準包裝:1 JANTX1N4101CUR-1 功能描述:Zener Diode 8.2V 500mW ±2% Surface Mount DO-213AA 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/435 包裝:散裝 零件狀態:在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):8.2V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):200 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 6.3V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AA(玻璃) 供應商器件封裝:DO-213AA 標準包裝:1 JANTX1N4101C-1 功能描述:Zener Diode 8.2V 500mW ±2% Through Hole DO-35 (DO-204AH) 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/435 包裝:散裝 零件狀態:在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):8.2V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):200 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 6.3V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35(DO-204AH) 標準包裝:1 JANTX1N4101-1 功能描述:Zener Diode 8.2V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/435 包裝:散裝 零件狀態:在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):8.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):200 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 6.3V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 JANTX1N4103CUR-1 JANTX1N4103D-1 JANTX1N4103DUR-1 JANTX1N4103UR-1 JANTX1N4104-1 JANTX1N4104C-1 JANTX1N4104CUR-1 JANTX1N4104D-1 JANTX1N4104DUR-1 JANTX1N4104UR-1 JANTX1N4105-1 JANTX1N4105C-1 JANTX1N4105CUR-1 JANTX1N4105D-1 JANTX1N4105DUR-1 JANTX1N4105UR-1 JANTX1N4106-1 JANTX1N4106C-1
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