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JANTXV1N2989RA

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JANTXV1N2989RA 技術參數

JANTXV1N2989B 功能描述:Zener Diode 30V 10W ±5% Stud Mount DO-213AA (DO-4) 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/124 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:30V 容差:±5% 功率 - 最大值:10W 阻抗（最大值）（Zzt）:8 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 22.8V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 2A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:接線柱安裝封裝/外殼:DO-203AA，DO-4，接線柱供應商器件封裝:DO-213AA（DO-4）標準包裝:1 JANTXV1N2974RB 功能描述:Zener Diode 10V 10W ±5% Stud Mount DO-213AA (DO-4) 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/124 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:10V 容差:±5% 功率 - 最大值:10W 阻抗（最大值）（Zzt）:3 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:25μA @ 7.6V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 2A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:接線柱安裝封裝/外殼:DO-203AA，DO-4，接線柱供應商器件封裝:DO-213AA（DO-4）標準包裝:1 JANTXV1N2970RB 功能描述:Zener Diode 6.8V 10W ±5% Stud Mount DO-213AA (DO-4) 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/124 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:6.8V 容差:±5% 功率 - 最大值:10W 阻抗（最大值）（Zzt）:1.2 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:150μA @ 5.2V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 2A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:接線柱安裝封裝/外殼:DO-203AA，DO-4，接線柱供應商器件封裝:DO-213AA（DO-4）標準包裝:1 JANTXV1N2808B 功能描述:Zener Diode 10V 50W ±5% Through Hole TO-204AD (TO-3) 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/114 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:10V 容差:±5% 功率 - 最大值:50W 阻抗（最大值）（Zzt）:0.6 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:25μA @ 6.7V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 10A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-204AD 供應商器件封裝:TO-204AD（TO-3）標準包裝:1 JANTXV1N2806RB 功能描述:Zener Diode 8.2V 50W ±5% Through Hole TO-204AD (TO-3) 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/114 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:8.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:50W 阻抗（最大值）（Zzt）:0.4 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50μA @ 5.4V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 10A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-204AD 供應商器件封裝:TO-204AD（TO-3）標準包裝:1 JANTXV1N3016DUR-1 JANTXV1N3017B-1 JANTXV1N3017BUR-1 JANTXV1N3017C-1 JANTXV1N3017CUR-1 JANTXV1N3017D-1 JANTXV1N3017DUR-1 JANTXV1N3018B-1 JANTXV1N3018BUR-1 JANTXV1N3018C-1 JANTXV1N3018CUR-1 JANTXV1N3018D-1 JANTXV1N3018DUR-1 JANTXV1N3019B-1 JANTXV1N3019BUR-1 JANTXV1N3019C-1 JANTXV1N3019CUR-1 JANTXV1N3019D-1