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JANTXV1N752A1

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JANTXV1N752A1 技術參數
  • JANTXV1N751DUR-1 功能描述:Zener Diode 5.1V 500mW ±1% Surface Mount DO-213AA 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/127 包裝:散裝 零件狀態:在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):5.1V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):17 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 2V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AA(玻璃) 供應商器件封裝:DO-213AA 標準包裝:1 JANTXV1N751D-1 功能描述:Zener Diode 5.1V 500mW ±1% Through Hole DO-35 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/127 包裝:散裝 零件狀態:在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):5.1V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):17 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 2V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 JANTXV1N751CUR-1 功能描述:Zener Diode 5.1V 500mW ±2% Surface Mount DO-213AA 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/127 包裝:散裝 零件狀態:在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):5.1V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):17 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 2V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AA(玻璃) 供應商器件封裝:DO-213AA 標準包裝:1 JANTXV1N751C-1 功能描述:Zener Diode 5.1V 500mW ±2% Through Hole DO-35 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/127 包裝:散裝 零件狀態:在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):5.1V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):17 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 2V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 JANTXV1N751AUR-1 功能描述:Zener Diode 5.1V 500mW ±5% Surface Mount DO-213AA 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/127 包裝:散裝 零件狀態:在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):5.1V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):17 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 2V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AA(玻璃) 供應商器件封裝:DO-213AA 標準包裝:1 JANTXV1N753CUR-1 JANTXV1N753D-1 JANTXV1N753DUR-1 JANTXV1N754A-1 JANTXV1N754AUR-1 JANTXV1N754C-1 JANTXV1N754CUR-1 JANTXV1N754D-1 JANTXV1N754DUR-1 JANTXV1N755A-1 JANTXV1N755AUR-1 JANTXV1N755C-1 JANTXV1N755CUR-1 JANTXV1N755D-1 JANTXV1N755DUR-1 JANTXV1N756A-1 JANTXV1N756AUR-1 JANTXV1N756C-1
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