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JS28F00AM29EWLE

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JS28F00AM29EWLE 技術參數

JS28F00AM29EWLA 功能描述:IC FLASH 1GBIT M29EW 56TSOP RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:Axcell™ 標準包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 異步存儲容量:16M（2M x 8，1M x 16）速度:45ns 接口:并聯電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應商設備封裝:48-VFBGA（6x8）包裝:帶卷 (TR) JS28F00AM29EWL0 功能描述:IC FLASH 1GBIT 110NS 56TSOP RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:Axcell™ 產品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標準包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18）速度:200MHz 接口:并聯電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應商設備封裝:165-CABGA（13x15）包裝:托盤其它名稱:71P71804S200BQ JS28F00AM29EWHE 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:1024MB, GL EBGA 3.0 X16 LF - Trays 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:IC FLASH 1GBIT 110NS 56TSOP JS28F00AM29EWHB TR 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:IC FLASH 1GBIT 110NS 56TSOP JS28F00AM29EWHA 功能描述:IC FLASH 1GBIT M29EW 56TSOP RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:Axcell™ 標準包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 異步存儲容量:16M（2M x 8，1M x 16）速度:45ns 接口:并聯電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應商設備封裝:48-VFBGA（6x8）包裝:帶卷 (TR) JS28F00AP33TFA JS28F064M29EWBA JS28F064M29EWHA JS28F064M29EWLA JS28F064M29EWLB TR JS28F064M29EWTA JS28F128J3D75A JS28F128J3D75B JS28F128J3D75B TR JS28F128J3F75A JS28F128J3F75B TR JS28F128J3F75D TR JS28F128J3F75G JS28F128J3F75H JS28F128M29EWHA JS28F128M29EWHF JS28F128M29EWLA JS28F128P30B85A