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深圳市華芯盛世科技有限公司
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深圳市一線半導體有限公司
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深圳市柏新電子科技有限公司
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JS28F512M29EWHES 技術參數

JS28F512M29EWHB TR 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:IC FLASH 512MBIT 110NS 56TSOP JS28F512M29EWHA 功能描述:IC FLASH 512MBIT M29EW 56TSOP RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:Axcell™ 標準包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 異步存儲容量:16M（2M x 8，1M x 16）速度:45ns 接口:并聯電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應商設備封裝:48-VFBGA（6x8）包裝:帶卷 (TR) JS28F512M29EWH0 功能描述:IC FLASH 512MBIT 110NS 56TSOP RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:Axcell™ 標準包裝:576 系列:- 格式 - 存儲器:閃存存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:512M（64M x 8）速度:- 接口:并聯電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬）供應商設備封裝:48-TSOP 包裝:托盤其它名稱:497-5040 JS28F512M29AWLB TR 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:IC FLASH 512MBIT 100NS 56TSOP JS28F512M29AWHB TR 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:IC FLASH 512MBIT 100NS 56TSOP JS28F512P33EF0 JS28F512P33EFA JS28F512P33TFA JS28F640J3D75A JS28F640J3D75B JS28F640J3D75B TR JS28F640J3D75D JS28F640J3D75D TR JS28F640J3D75E JS28F640J3F75A JS28F640J3F75B JS28F640J3F75B TR JS28F640J3F75D TR JS28F640J3F75E JS28F640J3F75G JS28F640P30B85A JS28F640P30BF75A JS28F640P30BF75D