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N04L163WC1AB-70I

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制造商
NANOAMP
制造商全稱
NANOAMP
功能描述
4Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM

N04L163WC1AB-70I 技術參數

N02L83W2AT25I 功能描述:靜態隨機存取存儲器 2MB 3V LOW PWR 靜態隨機存取存儲器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray N02L83W2AN25IT 功能描述:靜態隨機存取存儲器 2MB 3V LOW PWR 靜態隨機存取存儲器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray N02L83W2AN25I 功能描述:靜態隨機存取存儲器 2MB 3V LOW PWR 靜態隨機存取存儲器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray N02L63W3AT25IT 功能描述:靜態隨機存取存儲器 2MB 3V LOW PWR 靜態隨機存取存儲器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray N02L63W3AT25I 功能描述:靜態隨機存取存儲器 2MB 3V LOW PWR 靜態隨機存取存儲器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray N050X075C1T N050X075C2C N050X075C2T N050X075CBC N050X075CBD N050X075CBT N050X075FJJ N050X100CBT N050X125C1C N050X125C1T N050X125C2C N050X125C2T N050X125CBT N050X125FJJ N050X150C1T N050X150C2T N050X150CBC N050X150CBT