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NAND256R3A2BZC6E

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NAND256R3A2BZC6E
深圳市英科美電子有限公司
深圳市英科美電子有限公司
聯系人：張先生
電話：0755-23903058
地址：深圳市福田區振興路西101號華勻大廈1棟7F
9400
NUMONYX
FBGA
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每一片都來自原廠，正品保證

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NAND256R3A2BZC6E PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

NAND256R3A2BZC6E 技術參數

NAND256R3A2BZA6E 功能描述:閃存 128 Mbit 256 Mbit 512 Mbit 1 Gbit RoHS:否制造商:ON Semiconductor 數據總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel NAND16GW3F2AN6E 功能描述:IC FLASH 16GBIT SLC 48TSOP RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:- 標準包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行存儲器類型:EEPROM 存儲容量:4K (512 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口電源電壓:2.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬）供應商設備封裝:8-MFP 包裝:帶卷 (TR) NAND16GW3D2BN6E 功能描述:IC FLASH 16GBIT MLC 48TSOP RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:- 標準包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行存儲器類型:EEPROM 存儲容量:4K (512 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口電源電壓:2.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬）供應商設備封裝:8-MFP 包裝:帶卷 (TR) NAND16GW3B6DPA6F 功能描述:IC FLASH 16GBIT 114LFBGA RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:- 標準包裝:576 系列:- 格式 - 存儲器:閃存存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:512M（64M x 8）速度:- 接口:并聯電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬）供應商設備封裝:48-TSOP 包裝:托盤其它名稱:497-5040 NAND16GW3B6DPA6E 功能描述:IC FLASH 16GBIT 114LFBGA RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:- 標準包裝:576 系列:- 格式 - 存儲器:閃存存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:512M（64M x 8）速度:- 接口:并聯電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬）供應商設備封裝:48-TSOP 包裝:托盤其它名稱:497-5040 NAND256W3A2BN6F NAND256W3A2BN6F TR NAND256W3A2BNXE NAND256W3A2BZA6E NAND256W3A2BZA6F TR NAND256W3A2BZAXE NAND256W4A0AN6E NAND32GW3F4AN6E NAND512R3A2AZA6E NAND512R3A2BZA6E NAND512R3A2CZA6E NAND512R3A2DZA6E NAND512R3A2SE06 NAND512R3A2SN6E NAND512R3A2SN6F NAND512R3A2SZA6E NAND512R3A2SZA6F NAND512R3A2SZAXE