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NANDA8R3NOAZBB5E

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封裝
批號
價格
說明
操作

NANDA8R3NOAZBB5E
深圳市大源實業(yè)科技有限公司
深圳市大源實業(yè)科技有限公司
聯(lián)系人：李女士
電話：1530261991513762584085
地址：深圳市龍崗區(qū)五和大道山海商業(yè)廣場C座707室
11595
ST
BGA
24+
-
原裝，公司部分現(xiàn)貨，有單來談QQ:161...

NANDA8R3NOAZBB5E
深圳市芯睿晨科技有限公司
深圳市芯睿晨科技有限公司
聯(lián)系人：李小姐/肖先生
電話：0755-8257149682571956
地址：賽格廣場69樓6900
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
6350
MICRON
原廠封裝
21+
-
★絕對市場最低價原裝現(xiàn)貨！假一賠十★

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NANDA8R3NOAZBB5E PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準(zhǔn)

NANDA8R3NOAZBB5E 技術(shù)參數(shù)

NAND512W4A0AN6E 功能描述:閃存 NAND & S.MEDIA FLASH RoHS:否制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel NAND512W3A2SZA6E 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:SLC NAND Flash Parallel 3V/3.3V 512Mbit 64M x 8bit 12us 63-Pin VFBGA Tray 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Trays 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:MICNAND512W3A2SZA6E 512MB NAND FLASH 制造商:Micron Technology 功能描述:SLC NAND Flash Parallel 3V/3.3V 512Mbit 64M x 8bit 12us 63-Pin VFBGA Tray NAND512W3A2SN6E 功能描述:IC FLASH 512MBIT 48TSOP RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 格式 - 存儲器:閃存存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:4G（256M x 16）速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬）供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP I 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:557-1461-6 NAND512W3A2SE06 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Gel-pak, waffle pack, wafer, diced wafer on film NAND512W3A2DZA6E 功能描述:IC FLASH 512MBIT 63VFBGA RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行存儲器類型:EEPROM 存儲容量:4K (512 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口電源電壓:2.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬）供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MFP 包裝:帶卷 (TR) NANO100LC2BN NANO100LD2BN NANO100LD3BN NANO100LE3BN NANO100NC2BN NANO100ND2BN NANO100ND3BN NANO100NE3BN NANO100SC2BN NANO100SD2BN NANO100SD3BN NANO100SE3BN NANO102LB1AN NANO102LC2AN NANO102SC2AN NANO102ZB1AN NANO102ZC2AN NANO110KC2BN