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NCP5111DR2G/BKN

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NCP5111DR2G/BKN
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：雷春艷
電話：19129493934（手機優先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業執照
12500
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1521+
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NCP5111DR2G/BKN 技術參數

NCP5111DR2G 功能描述:功率驅動器IC HIGH VOLT MOSFET DR MOSFET IGBT DRIVER RoHS:否制造商:Micrel 產品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube NCP5109BDR2G 功能描述:功率驅動器IC HIGH VOLT MOSFET DRIVER RoHS:否制造商:Micrel 產品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube NCP5109ADR2G 功能描述:功率驅動器IC HIGH VOLT MOSFET DRIVER RoHS:否制造商:Micrel 產品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube NCP5106BPG 功能描述:功率驅動器IC HIGH VOLT MOSFET DR LO MOSFET IGBT DRVR RoHS:否制造商:Micrel 產品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube NCP5106BDR2G 功能描述:功率驅動器IC HIGH VOLT MOSFET DR LO MOSFET IGBT DRVR RoHS:否制造商:Micrel 產品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube NCP511SN18T1G NCP511SN25T1 NCP511SN25T1G NCP511SN27T1 NCP511SN27T1G NCP511SN28T1 NCP511SN28T1G NCP511SN30T1 NCP511SN30T1G NCP511SN33T1 NCP511SN33T1G NCP511SN50T1 NCP511SN50T1G NCP51200MNTXG NCP512SQ13T1G NCP512SQ13T2G NCP512SQ15T1 NCP512SQ15T1G