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NCV8402STT1GO

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NCV8402STT1GO 技術參數

NCV8402STT1G 功能描述:MOSFET SELF-PROTECTED FET RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube NCV8402DDR2G 功能描述:MOSFET N-Channel MOSFET 2.0 A 42V RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube NCV8402ASTT3G 功能描述:MOSFET 42V 2.0A RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube NCV8402ASTT1G 功能描述:MOSFET 42V 2.0A RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube NCV8402ADDR2G 功能描述:MOSFET 42V 2.0A RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube NCV8405STT1G NCV8405STT3G NCV8406ADTRKG NCV8406ASTT1G NCV8406ASTT3G NCV8406DTRKG NCV8406STT3G NCV8408BDTRKG NCV8408DTRKG NCV8440ASTT1G NCV8440ASTT3G NCV8440STT1G NCV8440STT3G NCV8445DR2G NCV8450ASTT3G NCV8450STT3G NCV8452STT1G NCV8452STT3G