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NIF3055L108T1G

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  • 深圳市時興宇電子有限公司
    深圳市時興宇電子有限公司

    聯系人:彭先生

    電話:0755-830415598397218513430523058

    地址:深圳市福田區華強北都會大廈A座19樓19G

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  • 深圳市毅創輝電子科技有限公司
    深圳市毅創輝電子科技有限公司

    聯系人:雷春艷

    電話:19129493934(手機優先微信同號)0755-83266697

    地址:深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質:營業執照

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  • NIF3055L108T1G
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  • 甄芯網
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    聯系人:柯先生/趙小姐

    電話:0755-83665813

    地址:深圳市福田區深南中路3006號佳和大廈B座907 門市部:中航路都會電子3C002B

    資質:營業執照

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NIF3055L108T1G 技術參數
  • NID9N05CLT4G 功能描述:MOSFET 52V 9A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube NID9N05CLT4 功能描述:MOSFET 52V 9A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube NID9N05CLG 功能描述:MOSFET 52V 9A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube NID9N05CL 功能描述:MOSFET 52V 9A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube NID6002NT4G 功能描述:MOSFET NFET 60V HD+ RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube NIF62514T1G NIF62514T3G NIF9N05CLT1 NIF9N05CLT1G NIF9N05CLT3 NIF9N05CLT3G NILMS4501NR2 NILMS4501NR2G NIMD6001ANR2G NIOS-DEVKIT-1S10 NIS1050MNTBG NIS1161MTTAG NIS5101E1T1 NIS5101E1T1G NIS5101E2T1 NIS5101E2T1G NIS5102QP1HT1 NIS5102QP1HT1G
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