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NLNSE20512-2002FGFC

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  • 深圳市毅創輝電子科技有限公司
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    聯系人:雷春艷

    電話:19129493934(手機優先微信同號)0755-83266697

    地址:深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

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  • 深圳市華雄半導體(集團)有限公司
    深圳市華雄半導體(集團)有限公司

    聯系人:雷精云

    電話:18988598856

    地址:深圳龍崗區棕科云端大廈1棟B座15層

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NLNSE20512-2002FGFC 技術參數
  • NL-M1DK-ES 功能描述:KIT SKYWIRE CAT-M1 制造商:nimbelink, llc 系列:Skywire? 零件狀態:在售 類型:蜂窩式開發平臺 頻率:- 配套使用產品/相關產品:NL-SW-LTE-SVZM20 所含物品:板 標準包裝:1 NLJT476M006R1600 功能描述:47μF Niobium Oxide Capacitor 6.3V 1210 (3528 Metric) 1.6 Ohm ESR 制造商:avx corporation 系列:OxiCap? NLJ 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:停產 電容:47μF 容差:±20% 電壓 - 額定:6.3V ESR(等效串聯電阻):1.6 歐姆 電流 - 漏泄:28.2μA 耗散因數:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:1210(3528 公制) 制造商尺寸代碼:T 高度 - 安裝(最大值):0.047"(1.20mm) 特性:- 工作溫度:-55°C ~ 105°C 標準包裝:1 NLJP226M004R4000 功能描述:22μF Niobium Oxide Capacitor 4V 0805 (2012 Metric) 4 Ohm ESR 制造商:avx corporation 系列:OxiCap? NLJ 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:停產 電容:22μF 容差:±20% 電壓 - 額定:4V ESR(等效串聯電阻):4 歐姆 電流 - 漏泄:8.8μA 耗散因數:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:0805(2012 公制) 制造商尺寸代碼:P 高度 - 安裝(最大值):0.059"(1.50mm) 特性:- 工作溫度:-55°C ~ 105°C 標準包裝:1 NLJB157M004R1500 功能描述:150μF Niobium Oxide Capacitor 4V 1210 (3528 Metric) 1.5 Ohm ESR 制造商:avx corporation 系列:OxiCap? NLJ 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:停產 電容:150μF 容差:±20% 電壓 - 額定:4V ESR(等效串聯電阻):1.5 歐姆 電流 - 漏泄:60μA 耗散因數:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:1210(3528 公制) 制造商尺寸代碼:B 高度 - 安裝(最大值):0.083"(2.10mm) 特性:- 工作溫度:-55°C ~ 105°C 標準包裝:1 NLJB107M006R1700 功能描述:100μF Niobium Oxide Capacitor 6.3V 1210 (3528 Metric) 1.7 Ohm ESR 制造商:avx corporation 系列:OxiCap? NLJ 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:停產 電容:100μF 容差:±20% 電壓 - 額定:6.3V ESR(等效串聯電阻):1.7 歐姆 電流 - 漏泄:60μA 耗散因數:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:1210(3528 公制) 制造商尺寸代碼:B 高度 - 安裝(最大值):0.083"(2.10mm) 特性:- 工作溫度:-55°C ~ 105°C 標準包裝:1 NLP110-9908 NLP110-9912 NLP110-9917 NLP110-9924 NLP110-9993 NLP110-9994 NLP110-9995 NLP110C NLP110CMB NLP110MB NLP150L-96Q5366 NLP150L-96S3 NLP150L-96S5 NLP150L-96S6 NLP150L-96S8 NLP150L-96S9 NLP150L-96T536 NLP150L-96T658
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