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NLV32T-820J-PF-KS

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  • NLV32T-820J-PF-KS
    NLV32T-820J-PF-KS

    NLV32T-820J-PF-KS

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人：雷春艷

    電話：19129493934（手機(jī)優(yōu)先微信同號(hào)）0755-83266697

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座2028室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 9915

  • TDK

  • 3225

  • 07+

  • -

  • 全新原裝現(xiàn)貨

  • NLV32T-820J-PF-KS
    NLV32T-820J-PF-KS

    NLV32T-820J-PF-KS

  • 甄芯網(wǎng)
    甄芯網(wǎng)

    聯(lián)系人：柯先生/趙小姐

    電話：0755-83665813

    地址：深圳市福田區(qū)深南中路3006號(hào)佳和大廈B座907 門市部：中航路都會(huì)電子3C002B

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 1983

  • tdk

  • 3225

  • 07+

  • -

  • 實(shí)單優(yōu)惠致電13922800398何生

  • 1/1頁 40條/頁 共5條 
  • 1
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NLV32T-820J-PF-KS 技術(shù)參數(shù)
  • NLV32T-820J-PF 功能描述:82μH Unshielded Wirewound Inductor 45mA 10 Ohm Max 1210 (3225 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:NLV-PF 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:82μH 容差:±5% 額定電流:45mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻（DCR）:10 歐姆最大 不同頻率時(shí)的 Q 值:30 @ 2.52MHz 頻率 - 自諧振:11MHz 等級(jí):- 工作溫度:-40°C ~ 105°C 頻率 - 測試:2.52MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:1210（3225 公制） 大小/尺寸:0.126" 長 x 0.098" 寬（3.20mm x 2.50mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.094"（2.40mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 NLV32T-820J-EFD 功能描述:82μH Unshielded Wirewound Inductor 45mA 10 Ohm Max 1210 (3225 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:NLV-EFD 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):停產(chǎn) 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:82μH 容差:±5% 額定電流:45mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻（DCR）:10 歐姆最大 不同頻率時(shí)的 Q 值:30 @ 2.52MHz 頻率 - 自諧振:11MHz 等級(jí):AEC-Q200 工作溫度:-40°C ~ 105°C 頻率 - 測試:2.52MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:1210（3225 公制） 大小/尺寸:0.126" 長 x 0.098" 寬（3.20mm x 2.50mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.094"（2.40mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 NLV32T-820J-EF 功能描述:82μH Unshielded Wirewound Inductor 45mA 10 Ohm Max 1210 (3225 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:NLV-EF 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:82μH 容差:±5% 額定電流:45mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻（DCR）:10 歐姆最大 不同頻率時(shí)的 Q 值:30 @ 2.52MHz 頻率 - 自諧振:11MHz 等級(jí):- 工作溫度:-40°C ~ 105°C 頻率 - 測試:2.52MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:1210（3225 公制） 大小/尺寸:0.126" 長 x 0.098" 寬（3.20mm x 2.50mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.094"（2.40mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 NLV32T-6R8J-PF 功能描述:6.8μH Unshielded Wirewound Inductor 180mA 1.8 Ohm Max 1210 (3225 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:NLV-PF 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:6.8μH 容差:±5% 額定電流:180mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻（DCR）:1.8 歐姆最大 不同頻率時(shí)的 Q 值:30 @ 7.96MHz 頻率 - 自諧振:40MHz 等級(jí):- 工作溫度:-40°C ~ 105°C 頻率 - 測試:7.96MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:1210（3225 公制） 大小/尺寸:0.126" 長 x 0.098" 寬（3.20mm x 2.50mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.094"（2.40mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 NLV32T-6R8J-EFD 功能描述:6.8μH Unshielded Wirewound Inductor 180mA 1.8 Ohm Max 1210 (3225 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:NLV-EFD 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:6.8μH 容差:±5% 額定電流:180mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻（DCR）:1.8 歐姆最大 不同頻率時(shí)的 Q 值:30 @ 7.96MHz 頻率 - 自諧振:40MHz 等級(jí):AEC-Q200 工作溫度:-40°C ~ 105°C 頻率 - 測試:7.96MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:1210（3225 公制） 大小/尺寸:0.126" 長 x 0.098" 寬（3.20mm x 2.50mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.094"（2.40mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 NLV32T-R12J-EF NLV32T-R12J-EFD NLV32T-R12J-PF NLV32T-R12J-PFD NLV32T-R15J-EF NLV32T-R15J-EFD NLV32T-R15J-PF NLV32T-R15J-PFD NLV32T-R18J-EF NLV32T-R18J-EFD NLV32T-R18J-PF NLV32T-R18J-PFD NLV32T-R22J-EF NLV32T-R22J-EFD NLV32T-R22J-PF NLV32T-R22J-PFD NLV32T-R27J-EF NLV32T-R27J-EFD
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