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NOSD107M006R0100.

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NOSD107M006R0100. PDF下載

制造商
AVX Corporation
功能描述
Niobium Oxide Capacitor
制造商
AVX Corporation
功能描述
CAPACITOR NIOBIUM OXIDE 100UF 6.3V, 20%, 2917

NOSD107M006R0100. 技術參數

NOSD107M006R0100 功能描述:100μF Niobium Oxide Capacitor 6.3V 2917 (7343 Metric) 100 mOhm ESR 制造商:avx corporation 系列:OxiCap? NOS 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效電容:100μF 容差:±20% 電壓 - 額定:6.3V ESR（等效串聯電阻）:100 毫歐電流 - 漏泄:12μA 耗散因數:6% 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:2917（7343 公制）制造商尺寸代碼:D 高度 - 安裝（最大值）:0.122"（3.10mm）特性:低 ESR 工作溫度:-55°C ~ 125°C 標準包裝:1 NOSD107M006R0080 功能描述:100μF Niobium Oxide Capacitor 6.3V 2917 (7343 Metric) 80 mOhm ESR 制造商:avx corporation 系列:OxiCap? NOS 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:停產電容:100μF 容差:±20% 電壓 - 額定:6.3V ESR（等效串聯電阻）:80 毫歐電流 - 漏泄:12μA 耗散因數:6% 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:2917（7343 公制）制造商尺寸代碼:D 高度 - 安裝（最大值）:0.122"（3.10mm）特性:低 ESR 工作溫度:-55°C ~ 125°C 標準包裝:1 NOSC686M006S0200 功能描述:68μF Niobium Oxide Capacitor 6.3V 2312 (6032 Metric) 200 mOhm ESR 制造商:avx corporation 系列:OxiCap? NOS 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效電容:68μF 容差:±20% 電壓 - 額定:6.3V ESR（等效串聯電阻）:200 毫歐電流 - 漏泄:8.2μA 耗散因數:6% 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:2312（6032 公制）制造商尺寸代碼:C 高度 - 安裝（最大值）:0.122"（3.10mm）特性:低 ESR 工作溫度:-55°C ~ 125°C 標準包裝:1 NOSC686M006R0200 功能描述:68μF Niobium Oxide Capacitor 6.3V 2312 (6032 Metric) 200 mOhm ESR 制造商:avx corporation 系列:OxiCap? NOS 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效電容:68μF 容差:±20% 電壓 - 額定:6.3V ESR（等效串聯電阻）:200 毫歐電流 - 漏泄:8.2μA 耗散因數:6% 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:2312（6032 公制）制造商尺寸代碼:C 高度 - 安裝（最大值）:0.110"（2.80mm）特性:低 ESR 工作溫度:-55°C ~ 125°C 標準包裝:1 NOSC686M004R0200 功能描述:68μF Niobium Oxide Capacitor 4V 2312 (6032 Metric) 200 mOhm ESR 制造商:avx corporation 系列:OxiCap? NOS 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:停產電容:68μF 容差:±20% 電壓 - 額定:4V ESR（等效串聯電阻）:200 毫歐電流 - 漏泄:5.4μA 耗散因數:6% 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:2312（6032 公制）制造商尺寸代碼:C 高度 - 安裝（最大值）:0.110"（2.80mm）特性:低 ESR 工作溫度:-55°C ~ 125°C 標準包裝:1 NOSD337M002R0035 NOSD337M002R0100 NOSD337M004R0035 NOSD337M004R0100 NOSD477M002R0035 NOSD477M002R0055 NOSD477M002R0100 NOSD477M004R0100 NOSE227M006R0080 NOSE227M006R0100 NOSE337M004R0100 NOSE337M006R0080 NOSE337M006R0100 NOSE477M002R0100 NOSE477M004R0075 NOSE477M004R0100 NOSE687M002R0060 NOSV108M002R0050