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NOSWACE

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NOSWACE
深圳市中平科技有限公司
深圳市中平科技有限公司
聯系人：賴先生
電話：0755-8394638513632637322
地址：深圳市福田區深南中路2070號電子科技大廈A座27樓2702號
資質：營業執照
14562
PHILIPS
DIP09
2024+
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NOSWACE 技術參數

NOSW476M004R0150 功能描述:47μF Niobium Oxide Capacitor 4V 2312 (6032 Metric) 150 mOhm ESR 制造商:avx corporation 系列:OxiCap? NOS 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:停產電容:47μF 容差:±20% 電壓 - 額定:4V ESR（等效串聯電阻）:150 毫歐電流 - 漏泄:3.8μA 耗散因數:6% 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:2312（6032 公制）制造商尺寸代碼:W 高度 - 安裝（最大值）:0.059"（1.50mm）特性:低 ESR 工作溫度:-55°C ~ 125°C 標準包裝:1 NOSW336M006R0250 功能描述:33μF Niobium Oxide Capacitor 6.3V 2312 (6032 Metric) 250 mOhm ESR 制造商:avx corporation 系列:OxiCap? NOS 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效電容:33μF 容差:±20% 電壓 - 額定:6.3V ESR（等效串聯電阻）:250 毫歐電流 - 漏泄:4μA 耗散因數:6% 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:2312（6032 公制）制造商尺寸代碼:W 高度 - 安裝（最大值）:0.059"（1.50mm）特性:低 ESR 工作溫度:-55°C ~ 125°C 標準包裝:1 NOSV687M004R0075 功能描述:680μF Niobium Oxide Capacitor 4V 2924 (7361 Metric) 75 mOhm ESR 制造商:avx corporation 系列:OxiCap? NOS 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:停產電容:680μF 容差:±20% 電壓 - 額定:4V ESR（等效串聯電阻）:75 毫歐電流 - 漏泄:54.4μA 耗散因數:14% 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:2924（7361 公制）制造商尺寸代碼:V 高度 - 安裝（最大值）:0.148"（3.75mm）特性:低 ESR 工作溫度:-55°C ~ 125°C 標準包裝:1 NOSV477M006R0075 功能描述:470μF Niobium Oxide Capacitor 6.3V 2924 (7361 Metric) 75 mOhm ESR 制造商:avx corporation 系列:OxiCap? NOS 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效電容:470μF 容差:±20% 電壓 - 額定:6.3V ESR（等效串聯電阻）:75 毫歐電流 - 漏泄:56.4μA 耗散因數:12% 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:2924（7361 公制）制造商尺寸代碼:V 高度 - 安裝（最大值）:0.148"（3.75mm）特性:低 ESR 工作溫度:-55°C ~ 125°C 標準包裝:1 NOSV108M002R0050 功能描述:1000μF Niobium Oxide Capacitor 2.5V 2924 (7361 Metric) 50 mOhm ESR 制造商:avx corporation 系列:OxiCap? NOS 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:停產電容:1000μF 容差:±20% 電壓 - 額定:2.5V ESR（等效串聯電阻）:50 毫歐電流 - 漏泄:50μA 耗散因數:18% 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:2924（7361 公制）制造商尺寸代碼:V 高度 - 安裝（最大值）:0.148"（3.75mm）特性:低 ESR 工作溫度:-55°C ~ 125°C 標準包裝:1 NOSY337M001R0100 NOSY337M002R0100 NOSY337M004R0150 NOSY477M001R0100 NOSY686M006R0100 NOZ NP0.8-12 NP0080TAT1G NP0110500000G NP01105000J0G NP0115AG03LC NP0115AG03LCF NP0115AG03LCF-J01 NP0115AG03LCF-J02 NP0115AG03LCF-J04 NP0115AG03LCF-JB NP0115AG03LCF-JCF11 NP0115AG03LCF-JCF12