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NX-15T-CV

配單專家企業名單
  • 型號
  • 供應商
  • 數量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • NX-15T-CV
    NX-15T-CV

    NX-15T-CV

  • 北京首天偉業科技有限公司
    北京首天偉業科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-621049316210489162104578

    地址: 廣東省深圳市福田區華強北街道電子科技大廈C座23E

    資質:營業執照

  • 5000

  • Hirose Electric Co Ltd

  • 標準封裝

  • 16+

  • -
  • 假一罰十,百分百原裝正品

  • NX-15T-CV
    NX-15T-CV

    NX-15T-CV

  • 深圳市毅創輝電子科技有限公司
    深圳市毅創輝電子科技有限公司

    聯系人:劉春蘭

    電話:19129491434(微信同號)

    地址:深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質:營業執照

  • 10000

  • Hirose Electric Co Ltd

  • 原裝

  • 2013+

  • -
  • 授權分銷 現貨熱賣

  • 1/1頁 40條/頁 共15條 
  • 1
NX-15T-CV PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • 記憶卡連接器 15 POS Plug Cover Thermoplastic Black
  • RoHS
  • 制造商
  • Yamaichi Electronics
  • 產品
  • Card Connectors
  • 卡類型
  • microSD
  • 類型
  • 節距
  • 方向
  • 安裝風格
  • SMD/SMT
  • 端接類型
  • 排數
  • 觸點數量
  • 電流額定值
  • 0.5 A
  • 電壓額定值
  • 50 V
NX-15T-CV 技術參數
  • NX138BKWX 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 60V 210MA SC70 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):60V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):210mA(Ta) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):0.7nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):20pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散(最大值):266mW(Ta), 1.33W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):3.5 歐姆 @ 200mA,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:SC-70 封裝/外殼:SC-70,SOT-323 標準包裝:1 NX138BKSX 功能描述:MOSFET 2 N-CH 60V 210MA 6TSSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:2 個 N 溝道(雙) FET 功能:標準 漏源電壓(Vdss):60V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):210mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):3.5 歐姆 @ 200mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):0.7nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):20pF @ 30V 功率 - 最大值:320mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供應商器件封裝:6-TSSOP 標準包裝:1 NX138BKR 功能描述:MOSFET N-CH 60V TO-236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):60V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):265mA(Ta) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):0.49nC @ 4.5V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):20.2pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散(最大值):310mW(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):3.5 歐姆 @ 200mA,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:TO-236AB(SOT23) 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 標準包裝:1 NX138AKSX 功能描述:MOSFET 2 N-CH 60V 170MA 6TSSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:2 個 N 溝道(雙) FET 功能:標準 漏源電壓(Vdss):60V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):170mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):4.5 歐姆 @ 170mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):1.4nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):20pF @ 30V 功率 - 最大值:325mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供應商器件封裝:6-TSSOP 標準包裝:1 NX138AKR 功能描述:MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):60V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):190mA(Ta) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):1.4nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):20pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散(最大值):325mW (Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):4.5 歐姆 @ 190mA, 10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:TO-236AB 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 標準包裝:1 NX1BL-15T-KT3B(05) NX1BL-15T-KT9B NX1BL-15T-KT9B(05) NX1BL-25T-KT3B NX1BL-25T-KT3B(05) NX1BL-25T-KT9B NX1BL-25T-KT9B(05) NX1BL-32T-KT3B NX1BL-32T-KT3B(05) NX1BL-32T-KT9B NX1BL-32T-KT9B(05) NX1P2-1040DT NX1P2-1040DT1 NX1P2-9024DT NX1P2-9024DT1 NX1W-ADB21 NX1W-CIF01 NX1W-CIF11
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