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NX155H

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NX155H
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
865000
NEXSEM
MSOP-10
最新批號
-
代理此型號，原裝正品現貨！

NX155H
北京首天偉業科技有限公司
北京首天偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址： 廣東省深圳市福田區華強北街道電子科技大廈C座23E
資質：營業執照
5000
NEXSEM
MSOP
08+
-
假一罰十，百分百原裝正品

NX155H
深圳市一線半導體有限公司
深圳市一線半導體有限公司
聯系人：謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐
電話：0755-88608801多線17727932378
地址：深圳市福田區華強北華強花園B9F
36900
TSSOP10
18+
-
優勢現貨，原裝正品

NX155H
深圳市一線半導體有限公司
深圳市一線半導體有限公司
聯系人：謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐
電話：0755-88608801多線17727932378
地址：深圳市福田區華強北華強花園B9F
9800
TSSOP10
18+
-
優勢庫存，原裝現貨

NX155H
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：雷春艷
電話：19129493934（手機優先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業執照
81815
NEXSEM
MSOP-10
1521+
-
全新原裝現貨

NX155H
甄芯網
甄芯網
聯系人：柯先生/趙小姐
電話：0755-83665813
地址：深圳市福田區深南中路3006號佳和大廈B座907 門市部：中航路都會電子3C002B
資質：營業執照
5140
NEXSEM
TSSOP10
10+PB
-
鴻信庫存謝絕克隆

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NX155H PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

NX155H 技術參數

NX138BKWX 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 60V 210MA SC70 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:210mA（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:0.7nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:20pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:266mW（Ta）, 1.33W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3.5 歐姆 @ 200mA，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:SC-70 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 標準包裝:1 NX138BKSX 功能描述:MOSFET 2 N-CH 60V 210MA 6TSSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:標準漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:210mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3.5 歐姆 @ 200mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:0.7nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:20pF @ 30V 功率 - 最大值:320mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供應商器件封裝:6-TSSOP 標準包裝:1 NX138BKR 功能描述:MOSFET N-CH 60V TO-236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:265mA（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:0.49nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:20.2pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:310mW（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3.5 歐姆 @ 200mA，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:TO-236AB（SOT23）封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 標準包裝:1 NX138AKSX 功能描述:MOSFET 2 N-CH 60V 170MA 6TSSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:標準漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:170mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4.5 歐姆 @ 170mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:1.4nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:20pF @ 30V 功率 - 最大值:325mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供應商器件封裝:6-TSSOP 標準包裝:1 NX138AKR 功能描述:MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:190mA（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:1.4nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:20pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:325mW (Ta) 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4.5 歐姆 @ 190mA, 10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:TO-236AB 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 標準包裝:1 NX1BL-15T-KT3B NX1BL-15T-KT3B(05) NX1BL-15T-KT9B NX1BL-15T-KT9B(05) NX1BL-25T-KT3B NX1BL-25T-KT3B(05) NX1BL-25T-KT9B NX1BL-25T-KT9B(05) NX1BL-32T-KT3B NX1BL-32T-KT3B(05) NX1BL-32T-KT9B NX1BL-32T-KT9B(05) NX1P2-1040DT NX1P2-1040DT1 NX1P2-9024DT NX1P2-9024DT1 NX1W-ADB21 NX1W-CIF01