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NX3008NBKT115

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  • NX3008NBKT115
    NX3008NBKT115

    NX3008NBKT115

  • 深圳市毅創輝電子科技有限公司
    深圳市毅創輝電子科技有限公司

    聯系人:雷春艷

    電話:19129493934(手機優先微信同號)0755-83266697

    地址:深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質:營業執照

  • 100

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  • NX3008NBKT115
    NX3008NBKT115

    NX3008NBKT115

  • 深圳市華雄半導體(集團)有限公司
    深圳市華雄半導體(集團)有限公司

    聯系人:苗鳳軍

    電話:17623594308

    地址:深圳龍崗區棕科云端大廈1棟B座15層

    資質:營業執照

  • 3720

  • NXP

  • SOT416

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NX3008NBKT115 技術參數
  • NX3008NBKT,115 功能描述:MOSFET N-CH 30V SC-75 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):350mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.4 歐姆 @ 350mA,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):0.68nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):50pF @ 15V 功率 - 最大值:250mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-75,SOT-416 供應商器件封裝:SC-75 標準包裝:1 NX3008NBKSH 功能描述:MOSFET 2 N-CH 30V 350MA 6TSSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級,AEC-Q101 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:2 個 N 溝道(雙) FET 功能:標準 漏源電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):350mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.4 歐姆 @ 350mA,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):0.68nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):50pF @ 15V 功率 - 最大值:445mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供應商器件封裝:6-TSSOP 標準包裝:1 NX3008NBKS,115 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 0.35A 6TSSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級,AEC-Q101,TrenchMOS? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:2 個 N 溝道(雙) FET 功能:邏輯電平門 漏源電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):350mA 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.4 歐姆 @ 350mA,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):0.68nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):50pF @ 15V 功率 - 最大值:445mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供應商器件封裝:6-TSSOP 標準包裝:1 NX3008NBKMB,315 功能描述:MOSFET N-CH 30V 530MA 3DFN 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):530mA(Ta) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):0.68nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):50pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散(最大值):360mW(Ta),2.7W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.4 歐姆 @ 350mA,4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:3-DFN1006B(0.6x1) 封裝/外殼:3-XFDFN 標準包裝:1 NX3008NBK,215 功能描述:MOSFET N-CH 30V TO-236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級,AEC-Q101,TrenchMOS? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):400mA(Tc) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):0.68nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):50pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散(最大值):350mW(Ta),1.14W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.4 歐姆 @ 350mA,4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:TO-236AB(SOT23) 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 標準包裝:1 NX301101 NX301102 NX301103 NX301104 NX301105 NX301106 NX301107 NX301108 NX301109 NX301110 NX301111 NX301112 NX301113 NX301114 NX301115 NX301116 NX301117 NX301118
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