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NX3008PBKT115

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NX3008PBKT115 技術(shù)參數(shù)
  • NX3008PBKT,115 功能描述:MOSFET P-CH 30V SC-75 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):200mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):4.1 歐姆 @ 200mA,4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):1.1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):0.72nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):46pF @ 15V 功率 - 最大值:250mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-75,SOT-416 供應(yīng)商器件封裝:SC-75 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 NX3008PBKS,115 功能描述:MOSFET 2P-CH 30V 0.2A 6TSSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級(jí),AEC-Q101,TrenchMOS? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:2 個(gè) P 溝道(雙) FET 功能:邏輯電平門 漏源電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):200mA 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):4.1 歐姆 @ 200mA,4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):1.1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):0.75nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):46pF @ 15V 功率 - 最大值:445mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供應(yīng)商器件封裝:6-TSSOP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 NX3008PBKMB,315 功能描述:MOSFET P-CH 30V 300MA 3DFN 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):Digi-Key 停止供應(yīng) FET 類型:P 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):300mA(Ta) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V,4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):1.1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):0.72nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):46pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散(最大值):360mW(Ta),2.7W(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):4.1 歐姆 @ 200mA,4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:3-DFN1006B(0.6x1) 封裝/外殼:3-XFDFN 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 NX3008PBK,215 功能描述:MOSFET P-CH 30V TO-236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級(jí),AEC-Q101,TrenchMOS? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:P 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):230mA(Ta) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V,4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):1.1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):0.72nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):46pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散(最大值):350mW(Ta),1.14W(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):4.1 歐姆 @ 200mA,4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:TO-236AB(SOT23) 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 NX3008NBKW,115 功能描述:MOSFET N-CH 30V SOT323 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級(jí),AEC-Q101,TrenchMOS? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):350mA(Ta) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V,4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):1.1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):0.68nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):50pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散(最大值):260mW(Ta),830mW(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):1.4 歐姆 @ 350mA,4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:SOT-323-3 封裝/外殼:SC-70,SOT-323 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 NX301107 NX301108 NX301109 NX301110 NX301111 NX301112 NX301113 NX301114 NX301115 NX301116 NX301117 NX301118 NX3020NAK,215 NX3020NAKS,115 NX3020NAKT,115 NX3020NAKV,115 NX3020NAKVYL NX3020NAKW,115
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