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參數資料
型號: 4N35_NL
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: 光電耦合器
英文描述: 6-Pin DIP Package Phototransistor Output Optocoupler
中文描述: 1 CHANNEL TRANSISTOR OUTPUT OPTOCOUPLER
封裝: LEAD FREE, DIP-6
文件頁數: 1/15頁
文件大小: 608K
代理商: 4N35_NL
6/15/05
WHITE PACKAGE (-M SUFFIX)
Page 1 of 15
2005 Fairchild Semiconductor Corporation
GENERAL PURPOSE 6-PIN
PHOTOTRANSISTOR OPTOCOUPLERS
BLACK PACKAGE (NO -M SUFFIX)
6
1
6
1
6
1
6
1
6
1
4N25
4N26
4N27
4N28
4N35
4N36
4N37
H11A1
H11A2
H11A3
H11A4
H11A5
DESCRIPTION
The general purpose optocouplers consist of a gallium arsenide infrared emitting diode driving a silicon phototransistor in a 6-pin
dual in-line package.
FEATURES
Also available in white package by specifying -M sufx, eg. 4N25-M
UL recognized (File # E90700)
VDE recognized (File # 94766)
- Add option V for white package (e.g., 4N25V-M)
- Add option 300 for black package (e.g., 4N25.300)
APPLICATIONS
Power supply regulators
Digital logic inputs
Microprocessor inputs
SCHEMATIC
PIN 1. ANODE
2. CATHODE
3. NO CONNECTION
4. EMITTER
5. COLLECTOR
6. BASE
2
1
3NC
5
6
4
相關PDF資料
PDF描述
4N35-M 6-Pin DIP Package Phototransistor Output Optocoupler
4N37_NL 6-Pin DIP Package Phototransistor Output Optocoupler
4N37-M 6-Pin DIP Package Phototransistor Output Optocoupler
4N25_NL 250V N-Channel MOSFET
4N36_NL 14A, 380V Logic Level, Voltage Clamped, Avalanche Energy Rated, ESD Protected IGBT
相關代理商/技術參數
參數描述
4N35S 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 PTR 100%, 3.5KV RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發射極電壓:70 V 最大集電極/發射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk
4N35S(TA) 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 Optocouplers RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發射極電壓:70 V 最大集電極/發射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk
4N35S(TA)-V 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 Optocouplers RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發射極電壓:70 V 最大集電極/發射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk
4N35S(TB) 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 Optocouplers RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發射極電壓:70 V 最大集電極/發射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk
4N35S(TB)-V 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 Optocouplers RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發射極電壓:70 V 最大集電極/發射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk
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