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PBLS2003S115

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PBLS2003S115 技術參數
  • PBLS2003S,115 功能描述:TRANS NPN PREBIAS/PNP 1.5W 8SO 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 晶體管類型:1 NPN 預偏壓式,1 PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA,3A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V,20V 電阻器 - 基底(R1)(歐姆):10k 電阻器 - 發射極基底(R2)(歐姆):10k 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):30 @ 5mA,5V / 150 @ 2A,2V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):150mV @ 500μA,10mA / 355mV @ 300mA,3A 電流 - 集電極截止(最大值):1μA,100nA 頻率 - 躍遷:100MHz 功率 - 最大值:1.5W 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應商器件封裝:8-SO 標準包裝:1 PBLS2003D,115 功能描述:TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.6W 6TSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 晶體管類型:1 NPN 預偏壓式,1 PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA,1A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V,20V 電阻器 - 基底(R1):10 千歐 電阻器 - 發射極基底(R2):10 千歐 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):30 @ 5mA,5V / 220 @ 500mA,2V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):150mV @ 500μA,10mA / 280mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大值):1μA,100nA 頻率 - 躍遷:185MHz 功率 - 最大值:600mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-74,SOT-457 供應商器件封裝:6-TSOP 基本零件編號:PBLS2003 標準包裝:1 PBLS2002S,115 功能描述:TRANS NPN PREBIAS/PNP 1.5W 8SO 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 晶體管類型:1 NPN 預偏壓式,1 PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA,3A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V,20V 電阻器 - 基底(R1)(歐姆):4.7k 電阻器 - 發射極基底(R2)(歐姆):4.7k 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):30 @ 10mA,5V / 150 @ 2A,2V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):150mV @ 500μA,10mA / 355mV @ 300mA,3A 電流 - 集電極截止(最大值):1μA,100nA 頻率 - 躍遷:100MHz 功率 - 最大值:1.5W 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應商器件封裝:8-SO 標準包裝:1 PBLS2002D,115 功能描述:TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.6W 6TSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 晶體管類型:1 NPN 預偏壓式,1 PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA,1A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V,20V 電阻器 - 基底(R1):4.7 千歐 電阻器 - 發射極基底(R2):4.7 千歐 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):30 @ 10mA,5V / 220 @ 500mA,2V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):150mV @ 500μA,10mA / 280mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大值):1μA,100nA 頻率 - 躍遷:185MHz 功率 - 最大值:600mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-74,SOT-457 供應商器件封裝:6-TSOP 基本零件編號:PBLS2002 標準包裝:1 PBLS2001S,115 功能描述:TRANS NPN PREBIAS/PNP 1.5W 8SO 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 晶體管類型:1 NPN 預偏壓式,1 PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA,3A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V,20V 電阻器 - 基底(R1)(歐姆):2.2k 電阻器 - 發射極基底(R2)(歐姆):2.2k 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):30 @ 20mA,5V / 150 @ 2A,2V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):150mV @ 500μA,10mA / 355mV @ 300mA,3A 電流 - 集電極截止(最大值):1μA,100nA 頻率 - 躍遷:100MHz 功率 - 最大值:1.5W 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應商器件封裝:8-SO 標準包裝:1 PBLS4002V,115 PBLS4002Y,115 PBLS4003D,115 PBLS4003V,115 PBLS4003Y,115 PBLS4004D,115 PBLS4004V,115 PBLS4004Y,115 PBLS4005D,115 PBLS4005V,115 PBLS4005Y,115 PBLS6001D,115 PBLS6002D,115 PBLS6003D,115 PBLS6004D,115 PBLS6005D,115 PBLS6021D,115 PBLS6022D,115
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