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PDTB123YT215

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  • PDTB123YT215
    PDTB123YT215

    PDTB123YT215

  • 深圳市柏新電子科技有限公司
    深圳市柏新電子科技有限公司

    聯系人:林小姐//方先生

    電話:0755-88377780010-58488628

    地址:深圳市福田區深南中路2070號電子科技大廈C座27E2 , 北京辦事處:北京海春路中發大廈60淀區知

  • 10000

  • PH3

  • 2012+

  • -
  • 只做原裝正品。

  • PDTB123YT215
    PDTB123YT215

    PDTB123YT215

  • 北京首天偉業科技有限公司
    北京首天偉業科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址: 廣東省深圳市福田區華強北街道電子科技大廈C座23E

    資質:營業執照

  • 5000

  • PH

  • 07+

  • -
  • 假一罰十,百分百原裝正品

  • 1/1頁 40條/頁 共4條 
  • 1
PDTB123YT215 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 制造商
  • NXP Semiconductors
  • 功能描述
  • BRT TRANSISTOR PNP -50V -500MA 2.2KO
PDTB123YT215 技術參數
  • PDTB123YT,215 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 晶體管類型:PNP - 預偏壓 電流 - 集電極(Ic)(最大值):500mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 電阻器 - 基底(R1):2.2 kOhms 電阻器 - 發射極基底(R2):10 kOhms 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):70 @ 50mA,5V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 功率 - 最大值:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:TO-236AB(SOT23) 標準包裝:1 PDTB123ET,215 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 晶體管類型:PNP - 預偏壓 電流 - 集電極(Ic)(最大值):500mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 電阻器 - 基底(R1):2.2 kOhms 電阻器 - 發射極基底(R2):2.2 kOhms 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):40 @ 50mA,5V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 功率 - 最大值:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:TO-236AB(SOT23) 標準包裝:1 PDTB113ZT,215 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 晶體管類型:PNP - 預偏壓 電流 - 集電極(Ic)(最大值):500mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 電阻器 - 基底(R1):1 kOhms 電阻器 - 發射極基底(R2):10 kOhms 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):70 @ 50mA,5V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 功率 - 最大值:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:TO-236AB(SOT23) 標準包裝:1 PDTA144WT,215 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 晶體管類型:PNP - 預偏壓 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 電阻器 - 基底(R1):47 kOhms 電阻器 - 發射極基底(R2):22 kOhms 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):60 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):150mV @ 500μA,10mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 功率 - 最大值:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:TO-236AB(SOT23) 標準包裝:1 PDTA144WM,315 功能描述:TRANS PNP W/RES 50V SOT-883 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:Digi-Key 停止供應 晶體管類型:PNP - 預偏壓 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 電阻器 - 基底(R1):47 kOhms 電阻器 - 發射極基底(R2):22 kOhms 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):60 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):150mV @ 500μA,10mA 電流 - 集電極截止(最大值):1μA 功率 - 最大值:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-101,SOT-883 供應商器件封裝:DFN1006-3 基本零件編號:PDTA144 標準包裝:1 PDTB143XTVL PDTB143XUF PDTB143XUX PDTC114EE,115 PDTC114EK,115 PDTC114EK,135 PDTC114EM,315 PDTC114EMB,315 PDTC114EQAZ PDTC114ES,126 PDTC114ET,215 PDTC114ET,235 PDTC114ET/DG/B2,21 PDTC114EU,115 PDTC114EU,135 PDTC114TE,115 PDTC114TEF,115 PDTC114TK,115
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